英伟达新一代封装将采用SiC衬底 看好SiC切磨抛设备核心标的【宇晶股份】

#英伟达新一代封装技术将带动碳化硅衬底需求飙升

1、据报道，英伟达将计划在新一代GPU芯片的先进封装环节采用12英寸碳化硅衬底替代传统硅中介层，最晚将在2027年导入。

2、SiC的热导率比硅高出2-3倍，同时具备更好的耐化学性，将大幅优化CoWoS封装尺寸，并降低封装成本，是中介层的理想材料。按8X光罩尺寸中介层测算，全球CoWoS封装的中介层材料将从2024年的9万片飙升至2026年的27万片，CAGR高达73%。

#切磨抛设备是碳化硅衬底加工核心装备，宇晶股份SiC切磨抛设备已实现批量销售

1、SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节，而切磨抛设备是衬底加工最核心设备，直接影响SiC加工质量和效率。SiC衬底材料需求飙升将同步带动核心装备放量。

2、 宇晶股份应用于SiC衬底材料加工的高精密数控切磨抛设备已实现批量销售，客户包括三安光电、山东天岳等头部企业，有望充分受益英伟达先进封装带动SiC衬底需求增长。$宇晶股份(SZ002943)$