台积电SiC封装材料优势分析

1月16日，台积电四季报业绩超预期，带动A股碳化硅（SiC）板块集体走强，天岳先进、三安光电、宇晶股份等多股涨停，晶升股份、晶盛机电等也显著上涨。

为何台积电在A股的核心映射是SiC？主要因为SiC有望成为台积电CoWoS先进封装的关键材料，这意味着A股产业链或首次深入参与台积电的核心制造环节。

近期市场关注先进封装，源于芯片功耗上升导致热量积聚，引发基板翘曲、裂纹等问题，使得CoWoS良率偏低、产能紧缺，进而推动封装环节扩产与涨价。

原有硅材料为何遇到瓶颈？硅的热导率较低、硬度不足，散热能力有限，在高温下易发生形变与裂纹。即便台积电从CoWoS-S转向CoWoS-L，并以部分性能为代价实现量产，硅基材料在B系列封装中仍出现翘曲，表明其物理性能已难以满足更高要求。

为什么转向SiC？主要基于三大优势：
一是热导率高（约500 W/m·K，远高于硅的130和玻璃的5），散热性能突出；
二是硬度高（莫氏硬度9.5，高于硅的7），抗应力能力更强，可减少翘曲风险；
三是工艺可行，SiC具备数十年半导体工艺基础，相比金刚石等材料更易光刻与刻蚀，适合规模化生产。

综合来看，SiC替代硅成为先进封装新一代材料已逐渐成为确定性趋势。从近期市场关注的液冷散热、先进封装等方向也能看出这一产业走向。

目前SiC衬底需求预计可达现有供给的三倍左右，产业链正在积极布局。尽管大规模放量可能需至2027年，但在当前市场环境下，产业趋势已受到资金提前关注。在此背景下，建议关注SiC领域具备核心技术的企业，例如：

天岳先进（衬底材料龙头）

晶升股份（晶体生长设备领先）

晶盛机电（半导体设备与材料布局深入）

以上公司已逐步展现趋势性成长动能，值得在产业趋势中持续跟踪。