生产 High-k（高介电常数）半导体前驱体的上市公司中，国内外均有多家企业在该领域占据重要地位。以下是基于最新市场动态和技术突破的主要参与者：

一、国内龙头企业：雅克科技（002409）

作为国内唯一实现 High-k 前驱体量产并打入国际巨头供应链的企业，雅克科技的技术实力和市场地位尤为突出：

核心产品与技术公司生产的 6N 级（纯度 99.9999%）High-k 前驱体已通过全球头部芯片厂商认证，可适配 3nm 逻辑芯片和 16 层 HBM（高带宽存储）堆叠需求，良率达 92%。其产品覆盖氧化铪（HfO₂）等主流 High-k 材料，解决了传统二氧化硅栅介质层的量子隧穿效应问题。市场份额与客户雅克科技是全球第二大 HBM 前驱体供应商，市占率约 18%，客户包括 SK 海力士（占全球 HBM 市场 50% 份额）、三星、美光等国际存储巨头，同时覆盖中芯国际、长鑫存储等国内全部 12 英寸晶圆厂。2025 年上半年，其前驱体业务收入同比增长超 30%，在手订单持续攀升。技术研发与战略布局公司与华为联合开发 HBM4 用前驱体，计划 2025 年量产，以应对 AI 算力技术迭代需求。此外，通过中韩双研发中心布局，持续跟踪 3nm 以下先进制程和先进封装技术，构建了 “前驱体 + 光刻胶 + 电子特气” 的平台化产品矩阵。

二、国内重要参与者

1. 南大光电（300346）

技术突破：通过承担国家 02 专项，南大光电已实现 High-k 前驱体的全覆盖，产品成功导入国内领先芯片制造企业的量产制程，成为核心供应商之一。其 MO 源产品纯度达 6N 级，技术水平国际领先，可配套 High-k 材料的 ALD/CVD 工艺。市场定位：专注于晶圆制造薄膜沉积环节，产品覆盖逻辑芯片、存储芯片等领域，为国产替代提供关键支撑。

2. 正帆科技（688596）

技术布局：子公司铜陵正帆电子材料有限公司已开展电子级四（乙基甲基氨基）铪（TEMAHf）的研发，这是制备氧化铪薄膜的关键前驱体，适用于 3D NAND、DRAM 等先进制程。市场进展：产品处于国产化验证阶段，未来有望打破德国默克、法国液化空气等国际企业的垄断。

三、国际领先企业

1. Air Liquide（法国液化空气集团，股票代码：AI.PA）

技术优势：全球领先的电子材料供应商，其 High-k 前驱体产品覆盖氧化铪、氧化铝等，广泛应用于逻辑芯片和存储芯片的栅极及电容制造。市场地位：在全球 High-k 前驱体市场占据重要份额，客户包括台积电、英特尔等头部代工厂。

2. Merck KGaA（德国默克集团，股票代码：MRC.DE）

产品矩阵：提供多种金属有机前驱体，用于 ALD/CVD 工艺沉积 High-k 薄膜，适配 3nm 以下先进制程。技术壁垒：其 TEMAHf 等产品纯度高、稳定性强，长期主导高端市场，但面临国内企业的快速替代压力。

3. Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.（TOK，东京应化工业，股票代码：4044.T）

技术积累：在光刻胶和前驱体领域均有深厚布局，其 High-k 前驱体产品已通过台积电、三星等客户认证，适用于逻辑芯片和 HBM 制造。

四、行业趋势与竞争格局

技术驱动需求增长随着 3nm 逻辑芯片量产和 HBM 堆叠层数从 8 层向 16 层突破，High-k 前驱体用量显著增加。预计 2025 年全球 High-k 及 CVD/ALD 金属前驱体市场规模将达 6.24 亿美元，年复合增长率超 15%。国产替代加速推进国内企业如雅克科技、南大光电凭借成本优势（价格仅为国际竞品的 60%-63%）和快速响应能力，在存储芯片领域的国产替代率已超 15%，并逐步向逻辑芯片渗透。认证壁垒与供应链安全半导体材料进入国际供应链需 2-3 年严格认证，雅克科技等头部企业通过长期合作建立了稳固的客户关系，同时通过布局前驱体金属原材料国产化，进一步保障供应链安全。

五、风险与挑战

技术迭代压力High-k 材料需与新型栅极金属（如 TiN）匹配，且需满足更低漏电率和更高热稳定性要求，企业需持续投入研发以保持竞争力。国际竞争加剧尽管国内企业快速崛起，但 Air Liquide、Merck 等国际巨头仍在高端市场占据主导，技术封锁和专利壁垒可能延缓国产替代进程。

总结

High-k 半导体前驱体是支撑先进制程芯片制造的核心材料，国内外上市公司中，雅克科技、南大光电、正帆科技等国内企业在国产替代中表现突出，而 Air Liquide、Merck 等国际企业仍主导高端市场。随着 AI 算力需求爆发和 HBM 技术普及，具备技术壁垒和客户资源的企业将显著受益于行业增长。投资者可重点关注雅克科技的 HBM 前驱体订单释放、南大光电的先进制程产品验证进展，以及国际企业在 3nm 以下技术的突破动态。