$Tower半导体(TSEM)$ Tower Semiconductor 2025 年 Q2 财报电话会议的核心纪要，分为业绩概览、业务进展、产能与投资计划、财务要点、管理层展望五大部分：
一、业绩概览
Q2 收入 3.72 亿美元，同比 +6%、环比 +4%。
毛利 8000 万美元、营业利润 4000 万美元，均环比 +700 万美元。
净利润 4700 万美元（EPS：基本 0.42 美元、稀释 0.41 美元），环比 +700 万美元。
Q3 指引收入 3.95 亿美元（同比 -5%，环比 +2300 万美元），Q4 计划较 Q3 再增 4000 万美元+，全年实现环比增长，下半年加速。
二、业务进展
硅锗（SiGe）与硅光子（SiPho）
Q2 射频基础设施业务收入超 9000 万美元（占总收入 25%，去年同期 14%），主要来自数据中心和 AI 光纤通信。
SiGe：圣安东尼奥 Fab 9、以色列 Fab 2 批量出货，纽波特海滩 Fab 扩产，日本 Fab 7 推出 300mm SiGe 设计套件。
SiPho：产能覆盖 400G/800G，并已实现 1.6T 良率爬升；1.6T 原型产量年初至今比 400G+800G 总和高 40%。
2025 上半年 SiPho 出货量是去年同期的 5 倍，预计 2025 全年收入将 翻倍（2024 年约 1.05 亿美元），甚至可能超额完成。
新开发 300mm 硅光子接收端技术，Q4 投产，可拓展至接收功能市场。
射频移动（RF-SOI）
Q2 收入环比 +20% 以上，Q3 预计再增近 30%，Q4 继续增长。
与北美一级客户合作，在日本和意大利 300mm 工厂做多款原型。
获 Wisol “最佳供应商”奖。
电源管理
AI 计算复杂性推动功率需求增长，美国、日本 300mm 产线提供多种方案；持续优化功率晶体管性能。
传感器与显示
2025 下半年收入预计比去年及前几个季度运行率高约 20%，机器视觉拉动增长；新增车载成像及硅基 OLED 客户。
三、产能与投资计划
以色列 Fab 2、德州 Fab 9 利用率约 60%，正在提升 SiGe/SiPho 负载；Fab 3 利用率 85%、Fab 5 为 75%、日本 Fab 7 已满产（>85%）。
资本支出总额 11.5 亿美元：
新墨西哥 12 英寸厂 3 亿美元（已支付 20%）。
与意法半导体合作的意大利 12 英寸厂 5 亿美元（已完成 85%）。
SiPho / SiGe 产能扩张 3.5 亿美元（40% 已到账）。
目标：现有晶圆厂满产可实现年收入 27 亿美元、营业利润 5.6 亿美元、净利润 5 亿美元。
2026 下半年产能 vs. 2025 Q4 出货目标：SiGe +33%，SiPho +2.2 倍，总收入目标 > 4.35 亿美元。
四、财务要点
货币风险对冲：日元有天然对冲，谢克尔与欧元通过零成本期权锁汇。
折旧：预计每季度 7000–7500 万美元，受新增产能投资略增。
运营支出：约每季度 4000 万美元，保持稳定。
资本支出节奏：未来 2–2.5 年持续在每季度 1–1.2 亿美元区间。
五、管理层展望
下半年最大增长点：
硅光子（1.6T 增长迅速，Q4 出货高峰，2026 年底产能翻倍）
硅锗
电源管理
射频移动（库存消化+客户份额提升）
CPO（共封装光学）预计 2029–2030 年才会规模化，不影响当前可插拔光模块需求。
现金优先用于扩产投资，带动收入和利润增长。
Q3、Q4 保持增长势头，Q4 有望创历史新高。$中际旭创(SZ300308)$ $新易盛(SZ300502)$