HBM(高带宽内存)作为 AI 芯片 “存储墙” 的解决方案,其3D 堆叠封装对散热和绝缘材料提出了极致要求:
1. 散热挑战:16 层堆叠芯片功耗密度提升 4 倍,热失控风险显著增加
2. 信号干扰:高频信号在传统填充材料中损耗严重,影响传输效率
3. 放射性风险:普通氧化铝含有的 α 射线会导致存储芯片数据错误,HBM 要求铀 / 钍含量 < 5ppb
✅ 天马新材的解决方案:自主开发的 Low-α 射线球形氧化铝通过四大技术突破完美匹配 HBM 需求
1. 超低放射性:铀 / 钍含量 < 5ppb,低于国际标准(10ppb)
2. 高球形度:熔融态表面张力球化工艺,填充密度提升 30%,粘度降低 25%
3. 高热导率:比普通球形氧化铝高 20%,有效解决热失控问题
4. 介电调控:介电常数 εr=9.5±0.5,抑制高频信号损耗
放射性控制技术:全球仅 3 家企业(住友化学、天马新材、法国圣戈班)掌握 Low-α 球铝量产工艺。
亚微米级粒径精准控制(误差 < 0.1μm),国内唯一实现规模化生产
2. 与长江存储、长鑫存储 联合开发,存储基板材料认证
3. 与台积电、盛合晶微 送样验证,HBM4 材料测试