12月题材：国内高带宽内存（HBM）的供应商

12月24日韩媒报道，三星电子与SK海力士已将2026年HBM3E报价上调约20%，打破了新一代存储发布前旧款降价的惯例。本轮罕见涨价的直接诱因是AI加速器需求激增：英伟达H200、谷歌第七代TPU及亚马逊Trainium均大幅增加单晶粒HBM3E用量，而两大原厂为备战HBM4扩产，对HBM3E的产能分配被迫压缩，供给缺口迅速放大。

从行业角度看，HBM3E价格逆势上涨不仅反映了AI算力对高带宽存储的刚性需求，也预示着HBM4正式量产后，老接口仍将维持较长的交替周期。三星预计2026年HBM整体出货量将较2025年暴增3倍，达到111亿Gb；2026年HBM市场收入占比HBM4约55%，HBM3E仍占45%，意味着明年近半数价值量仍由HBM3E贡献。价格抬升将直接增厚原厂利润，并牵动整条产业链的订单与库存策略。

国内厂商在HBM制造链条中主要分布于前驱体、ALD/TSV设备、封装材料及代理分