技术突破：6英寸单晶片量产开启国产替代新纪元
2025年8月19日，九峰山实验室联合云南鑫耀半导体宣布，成功攻克6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。这一突破标志着我国首次在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从装备到材料的国产化协同应用。
云南鑫耀作为国内磷化铟衬底龙头（云南锗业子公司），其6英寸单晶片量产将直接打破国际垄断。目前全球磷化铟市场70%的产能被日本住友、美国AXT等企业垄断，而我国长期依赖进口。此次量产将推动国产化率从不足10%提升至30%以上，预计2026年云南鑫耀6英寸产能将突破25万片/年，覆盖中际旭创、光迅科技等头部客户。
云南锗业（002428）
- 产能霸主：控股鑫耀半导体拥有15万片/年磷化铟产能（2-4英寸），6英寸良率已达70%，2026年规划产能达40万片/年。
- 技术壁垒：纯度达99.9999%的超高纯度材料，单晶片成本较进口低15%，客户覆盖华为哈勃投资、中际旭创等。
- 资源协同：背靠全球铟资源龙头锡业股份（铟储量4821吨），形成“铟矿-单晶-外延片”全链条优势。
三安光电（600703）
- 量子点突破：联合中科院开发的磷化铟量子点激光器实现100Gbps高速调制，良率从30%跃升至65%，成本较Lumentum低20%。
- 产能爆发：泉州产业园一期年产能10万片（4-6英寸），主供英伟达供应链企业，2025年订单额预计超可观。