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SiC芯动力

格力SiC芯片深度解析：

别再纠结“几纳米”，这才是它的真正实力

珠海·格力

SiC to Power

01

打破认知误区

打破认知误区：功率芯片的“高端”从不看纳米数。

当人们谈论芯片时，总习惯性追问“是几纳米制程”，但这一逻辑在功率半导体领域完全不适用。格力的碳化硅（SiC）芯片属于功率芯片，其核心价值在于耐高压、耐高温、高效率，而非集成度。例如，格力SiC芯片可承受1200V高压，工作温度降低10℃，整机效率提升0.5%以上，这些参数直接决定空调、新能源汽车等设备的能耗与可靠性，远比“纳米数”更具实际意义。

传统硅基芯片追求“越小越先进”，但碳化硅芯片的性能取决于材料特性与制造工艺。格力采用6英寸碳化硅晶圆，通过自主研发的高温离子注入、全自动缺陷检测等工艺，实现主要量产产品良率99.6%，成本较行业平均更低。

这种“不以纳米论英雄”的技术路径，恰恰是包括格力在内的第三代半导体领域的差异化优势。

02

SiC的“跨界突围”

价格困局：碳化硅规模化应用的核心障碍

碳化硅（SiC）器件成本长期居高不下，衬底材料占总成本45%（2024年数据），6英寸导电型衬底价格曾高达1200美元/片，导致其价格是硅基IGBT的3-5倍。

这一壁垒限制了其在工业领域的普及——例如光伏逆变器厂商因成本敏感，长期优先选择硅基方案；工业电机领域更因替换周期长，对价格波动尤为谨慎。

破局路径：格力与中国企业的“降本组合拳”

1、规模化生产摊薄成本

格力通过388天建成亚洲首座全自动化SiC工厂，规划6英寸SiC晶圆年产24万片，通过全自动生产和全自动缺陷检查生产线的建设，极大的提高产品良率和一致性，单片制造成本也较行业平均更低。

2、技术迭代突破材料瓶颈

8英寸SiC晶圆前瞻布局：格力8英寸SiC产线已经开始布局，主厂房已经完成封顶（预计2026年Q3开始），单位面积成本较6英寸可降低35%，良率目标95%以上，届时将与国际巨头Wolfspeed、英飞凌同台竞争。

3、产业链协同与政策支持
中国企业通过“衬底-外延-器件”垂直整合压减中间环节。例如天岳先进6英寸衬底价格从2022年5110元/片降至2024年4080元/片，叠加政府对第三代半导体的专项补贴，进一步加速价格下探。

03

晶圆代工：从“自用”到“开放”的产能突围

以“代工优先”为战略核心

格力SiC晶圆厂以“代工优先”为战略核心，6英寸产线24万片年产能中，70%对外承接订单，客户覆盖23家芯片设计公司（含3家科创板企业）。其差异化竞争力体现在：

·全产业链协同：通过开放代工，格力将家电领域积累的恒温控制、能源管理技术反向赋能半导体制造——自主研发的全自动环境设备使工厂满产能耗降低30%，年省成本超2000万元，其“零国家补贴”模式可以列为制造业转型范本。

·灵活合作模式：业务不仅支撑格力内部空调、新能源汽车等场景的芯片需求，更通过开放代工推动国产碳化硅替代进程，成为半导体产业国产化的重要力量，某新能源充电桩客户借此将研发周期缩短4个月。

·车规级认证优势：工厂已获得国际权威机构SGS颁发的IATF 16949汽车质量管理体系认证、ISO 9001质量管理体系认证及ANSI/ESD S20.20-2021静电防护管理体系认证，标志着其产品满足汽车电子等高端领域的严苛标准，具备车规级芯片稳定供应能力。

破局路径：格力与中国企业的“降本组合拳”

1、规模化生产摊薄成本

格力通过388天建成亚洲首座全自动化SiC工厂，规划6英寸SiC晶圆年产24万片，通过全自动生产和全自动缺陷检查生产线的建设，极大的提高产品良率和一致性，单片制造成本也较行业平均更低。

2、技术迭代突破材料瓶颈

8英寸SiC晶圆前瞻布局：格力8英寸SiC产线已经开始布局，主厂房已经完成封顶（预计2026年Q3开始），单位面积成本较6英寸可降低35%，良率目标95%以上，届时将与国际巨头Wolfspeed、英飞凌同台竞争。

3、产业链协同与政策支持
中国企业通过“衬底-外延-器件”垂直整合压减中间环节。例如天岳先进6英寸衬底价格从2022年5110元/片降至2024年4080元/片，叠加政府对第三代半导体的专项补贴，进一步加速价格下探。

结语：别用“纳米思维”定义中国芯的价值

格力碳化硅芯片的意义，不在于打破“几纳米”的纪录，而在于证明中国企业能通过差异化技术路径，在高端制造领域撕开缺口。从空调到新能源汽车，从“自用”到“外供”，格力的实践或许能给行业一个启示：当技术创新与市场需求深度绑定，“国产替代”从来不是一句空话。