扬杰科技 2025半年报分析
新品$发售情况：
第三代半导体（SiC）：
650V/1200V/1700V SiC MOS产品完成从第二代到第三代的升级，比导通电阻（RSP）降至3.33mΩ·cm²以下，性能对标国际水平。
车规级模块：
推出三相桥HPD模块（750V/950A IGBT模块、1200V/2.0mΩ SiC模块），已获多家车企测试合作。
IGBT与MOSFET：
IGBT新增N3、N4型号，覆盖60KW-320KW功率段的光储充应用。
MOSFET推出PDFN5060（最小RDSON 0.4mohm）等车规级产品，通过终端客户测试并量产。
与主营业务同频分析：
新品均属于功率半导体核心领域（SiC、IGBT、MOSFET），与公司主营的“半导体功率器件”完全一致。
应用场景聚焦于公司战略方向：新能源汽车、AI服务器、光伏储能（占营收增长主力），与下游需求高度协同。
技术研发投入占比6.38%（同比增11.74%），强化了高端产品与主营业务的协同性。
1. 产能建设提速
越南基地：一期封装厂满产（良率99.5%），二期项目通线，提升海外供应链韧性。
SiC芯片产线：首条产线量产爬坡，工艺达国内领先水平（比导通电阻≤3.33mΩ·cm²）。
车规模块产线：年产25万只HPD模块投产，攻克银烧结等关键技术，获多家车企认证。
财务情况：
自由现金流同比微增3.8%，未出现恶化，但扩张导致投资支出大幅增加（主要投向越南工厂、SiC产线）。
债务增长主因产能扩张（越南二期、SiC芯片线建设）。
长期借款占比提升（从33%→45%），债务结构优化。
存货增速（5.1%）远低于营收增速（20.58%），显示存货周转效率提升
总结：
产能扩张：明确存在，主要方向为SiC芯片、车规模块及海外封装基地，扩张比例反映在资本开支（在建工程增23.3%）和资产规模增长。
与东南大学共建“宽禁带半导体联合研发中心”，强化SiC技术储备；
YJ品牌主攻国内/亚太，MCC品牌拓展欧美；
SiC车规模块、越南二期产能释放，支撑全年业绩增长；
财务指标健康，扩张战略未透支现金流，估值合理。
