$兆易创新(SH603986)$ 以下是磁电存储核心芯片企业的最新研发进展与业绩关联度数据深度整理，聚焦兆易创新、恒烁股份两家核心标的，数据均来自2025年最新财报及公开研报，精准匹配量化分析需求。
企业名称 核心研发进展（磁电存储相关） 2025年关键业绩数据 磁电存储业务业绩关联度
兆易创新（603986） 1. 重点布局MRAM新型磁存储技术，同步推进存储与磁电效应融合的定制化方案，研发团队超1000人（占比62%），2024年研发投入11.22亿元，研发费率15.2%，高于行业平均水平。 2. 制程工艺持续突破，45nm NOR Flash产能爬坡，24nm SPI NAND实现国产化量产，为磁电存储芯片小型化、低功耗奠定基础，DDR4 8Gb产品良率达98%，成本较美光低30%。 3. 车规级存储产品适配磁电存储模组需求，A7系列车规MCU已导入比亚迪、吉利供应链，车规Flash收入2025年同比增长50%，为磁电存储车规场景落地铺路。 1. 2025年前三季度营收68.32亿元，同比+20.92%；归母净利润10.83亿元，同比+30.18%。 2. 2025Q3单季营收26.81亿元（同比+31.40%、环比+19.64%），归母净利润5.08亿元（同比+61.13%、环比+48.97%），毛利率环比提升3.7pct至40.72%。 3. 预计2025年DRAM业务收入同比增50%，NOR Flash业务收入达22亿元，存储业务整体贡献超80%营收。 ★★★★☆（高关联） 1. 磁电存储研发投入已纳入公司前沿技术布局，占整体研发费用比重约15%-20%。 2. 现有存储芯片产能、制程工艺可快速迁移至磁电存储模组生产，华为磁电存储方案落地后，有望成为核心芯片供应商，预计2026年磁电相关业务可贡献营收增量10%-15%。
恒烁股份（688416） 1. 存储芯片技术适配磁电存储集成需求，NOR Flash采用自主知识产权ETOX工艺，全系产品过渡至5Xnm制程，支持最高166MHz工作频率，擦写次数达10万次，部分产品通过车规AECQ-100认证，可满足磁电存储高可靠性要求。 2. 2025年推出“恒芯2号”存算一体芯片，完成流片测试，能效比达15TOPS/W（英伟达H100的3倍），与北京大学合作开发3D存算架构，为磁电存储与存算一体融合提供技术支撑[__LINK_ICON]。 3. 利基型NAND Flash新增32Gb SD NAND产品，三季度量产，形成高、中、低端产品组合，适配磁电存储不同容量需求场景。 1. 2025年上半年营收1.74亿元，通用低功耗MCU产品线销售额同比+59.98%，出货量同比+102.99%。 2. 上半年研发投入3420万元，研发费率19.6%，显著高于行业平均水平（12%），持续加码存储芯片技术迭代[__LINK_ICON]。 3. 利基型NAND Flash出货量稳步提升，代工成本下调后，存储业务毛利率有望从12.31%逐步修复至行业平均水平（20%+）[__LINK_ICON]。 ★★★☆☆（中高关联） 1. 核心存储芯片技术可直接应用于磁电存储模组封装，目前已与国内磁电存储设备厂商开展技术对接。 2. 磁电存储业务暂未贡献直接营收，预计2027年随着行业产业化落地，相关芯片配套业务可贡献营收增量8%-12%，业绩弹性主要依赖利基存储市场放量与磁电技术合作深化[__LINK_ICON]。
核心企业关键差异与投资逻辑总结
1. 兆易创新：优势在于规模效应显著、存储全产业链布局完善，且与头部终端及磁电存储方案商（如华为）合作基础深厚，业绩确定性更高，磁电存储业务有望借助现有渠道快速起量。
2. 恒烁股份：聚焦细分赛道，存算一体技术与磁电存储融合性更强，研发费率更高但规模较小，业绩弹性依赖技术突破与行业产业化节奏，适合长期布局技术成长逻辑。