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3纳米节点已全面导入GAA（环绕栅）结
构，氧化镧（La2O3）、氧化铒（Er2O3）、
氧化钊（Gd2O3)等高k稀土薄膜成为栅介质
“绝缘革命”的核心材料，否则漏电无法控
制。
每万片12英寸3纳米晶圆合计消耗稀土氧化
物仅约35kg，其中镓占62%，镧、铈、钇、
镥等合计<15kg，折合单片<5mg，却直接
决定介电常数、抛光精度与成像质量，目前
无成熟替代方案
EUV光刻机物镜抛光液：氧化铈（CeO2)纳
米颗粒，用于晶圆原子级平坦化;
磁悬浮晶圆台：钕铁硼永磁体提供纳米级定
位磁场
极紫外激光晶体：高纯钇铝石榴石（YAG)
或氧化镥（Lu2O3)单晶，每台EUV约耗
500g镥