佳先股份与徐州博康再度携手 书写光刻胶领域新篇章

蚌埠投资集团

5月12日，在徐州博康信息化学品有限公司上海研发中心，佳先股份 董事长李兑与 徐州博康 董事长傅志伟签署项目合作协议。这是继2024年佳先股份控股子公司英特美与徐州博康开展光刻胶单体项目合作以来，双方签约合作的第二个项目。

佳先股份 为蚌投集团控股的北交所上市公司，主要从事PVC新型环保热稳定剂及助剂的研发、生产、销售。近年来，佳先股份在发展新质生产力方面持续发力，通过对外并购和项目新建，不断延伸企业产业链，持续增强内涵式发展能力，业务涵盖热稳定剂、电子材料等领域，目前拥有发明专利33项、实用新型专利125项。

徐州博康是国内中高端光刻胶及相关原材料研发制造的国家高新技术企业，也是我国最早从事光刻材料产业化开发的企业之一，由国家万人计划领军人才、国务院特殊津贴专家、科技部创新创业人才傅志伟先生创办。目前，徐州博康已经系统掌握了光刻胶全产业链核心技术和工艺，光刻胶全品类产品近百款,客户全面覆盖国内80余家芯片制造商，核心产品ArF光刻胶技术能力达到28nm工艺节点，有10余支产品在国内知名12寸半导体芯片工厂验证。

本次项目签约标志着佳先股份和徐州博康合作范围进一步拓宽，战略合作进一步深化，对推动光刻胶项目尽快落户蚌埠、打造我市光刻胶产业集群具有十分重大而深远的意义。

$彤程新材(SH603650)$ $南大光电(SZ300346)$ $晶瑞电材(SZ300655)$

延伸阅读

光刻胶（Photoresist）是一种对光敏感的高分子材料，通过曝光（如紫外光、电子束、离子束等）引发光化学反应，利用其反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上，是微电子和半导体制造中的关键材料。光刻胶主要分类及特点包括：

1.按曝光光源分类

光刻胶的感光特性需与光源波长匹配，不同光源对应不同的工艺节点：

⑴紫外光（UV）光刻胶：

—g-line（436nm）：传统光刻胶，用于早期半导体工艺（如0.5μm以上工艺）。

—i-line（365nm）：分辨率更高，适用于0.35-0.5μm工艺。

⑵深紫外（DUV）光刻胶：

—KrF准分子激光（248nm）：用于130-250 nm工艺节点，如存储芯片制造。

—ArF准分子激光（193nm）：主流先进工艺（如7-65nm节点），需化学放大胶（CARs）。

⑶极紫外（EUV）光刻胶（13.5nm）：用于7nm以下先进制程，需高灵敏度、低粗糙度材料。

⑷电子束（E-beam）光刻胶：用于高精度掩模制造或科研领域（如纳米结构）。

⑸X射线光刻胶：适用于特殊高分辨率场景，但应用较少。

2.按化学性质分类

根据曝光后溶解度变化分为两类：

—正性光刻胶（Positive Photoresist）：

具有分辨率高、图形边缘清晰的优点，适用于精细图形（如半导体逻辑器件）。

—负性光刻胶（Negative Photoresist）：

具有附着力强，耐腐蚀性好的优点，主要应用于MEMS、封装、PCB等对分辨率要求较低的领域。

3.按应用场景分类

⑴半导体制造：需高分辨率（如ArF、EUV胶）、低缺陷率，用于芯片前道工艺。

⑵封装与MEMS：强调机械强度与耐腐蚀性（如厚胶、SU-8负胶）。

⑶显示面板：用于LCD/OLED制造，如ITO蚀刻用光刻胶。

⑷印刷电路板（PCB）：成本敏感，使用紫外负胶或干膜光刻胶。

单位换算：

1米(m)=100万微米(μm)

1微米(μm)=1000纳米(nm)