核心结论（2025）：国产光刻胶呈现低端成熟、中端突破、高端追赶格局。g/i线与PCB/显示胶已形成规模，KrF/ArF在28nm及以上成熟制程加速验证量产，EUV仍处实验室研发；整体自给率约5%，高端（ArF/EUV）不足1%，上游材料与量产稳定性是主要瓶颈。
一、市场与国产化率
• 规模：2025年中国光刻胶市场约120-125亿元，全球占比约35%，需求年增15%+。
• 国产化率：g/i线≈10%-15%；KrF≈1%-5%；ArF<1%；EUV≈0%；PCB/显示胶≈55%。
• 核心缺口：12英寸晶圆用胶自给率<30%，8英寸约60%，高端制程仍高度依赖日本进口。
二、技术与产品进展
• g/i线：晶瑞电材、苏州瑞红等稳定量产，良率95%+，满足功率/模拟/成熟逻辑芯片需求，已切入车规认证。
• KrF：彤程新材（科华）、徐州博康、上海新阳等进入量产验证，良率90%-95%，缺陷密度<0.1个/cm²，适配28-90nm成熟制程与先进封装。
• ArF：南大光电实现28nm规模量产，良率99.7%，通过中芯国际/长江存储验证；鼎龙股份30吨产能获订单，300吨产线试运行；仍以干法为主，浸没式小批量。
• EUV：国内企业（如晶瑞电材）与科研机构处于实验室研发，主攻金属基/分子玻璃路线，尚无量产时间表。
三、核心企业与产能
企业 主攻品类 2025关键进展 产能
南大光电 ArF 28nm量产，良率99.7% 500吨/年（宁波产线2025年底达产）
彤程新材（科华） KrF 良率95%，月产50吨 千吨级产能建设中
晶瑞电材 g/i线、KrF g/i线市占领先，KrF送样验证 KrF年产能50吨
鼎龙股份 KrF/ArF ArF获两家晶圆厂订单 KrF30吨+ArF300吨（试运行）
容大感光 PCB/显示 湿膜市占>50% 湿膜年产能万吨级
四、瓶颈与挑战
• 上游材料：PAG国产化率<10%，高纯度树脂<30%，溶剂/添加剂依赖日本，制约成本与稳定性。
• 量产与验证：批次一致性、缺陷率（高端需<0.01个/cm²）、良率波动；晶圆厂认证周期12-24个月，客户粘性弱。
• 专利与技术：日本企业全球专利占比60%+，国产专利多集中中低端，高端路线选择受限。
五、政策与替代节奏
• 政策：大基金三期、02专项持续加码，目标2027年KrF/ArF国产化率至10%-20%。
• 节奏：2025-2027：KrF在28-90nm成熟制程替代至10%-20%；ArF突破28nm，小批量上量；2028-2030：ArF浸没式切入14nm，EUV进入原型验证。
六、关键结论与建议
• 结论：国产光刻胶已过“0到1”，进入“1到N”量产爬坡期；中低端先立后强，高端仍需5-10年追赶。
• 建议：优先攻克KrF与ArF成熟制程应用，同步突破PAG/树脂等上游材料；与中芯国际/长江存储深度协同，缩短验证周期。