存储芯片及国产半导体设备行业观点

1、存储行业投资逻辑与供需判断
·存储板块推荐逻辑：a. 9月初开始重点推荐存储板块，核心逻辑是北美大型CSC厂商规划2026年Kpax、制定关键器件采购计划及谈2026年长期供货协议（LTA），判断2026年存储需求超过供给；b. 2025年三季度以来存储行业需求端表现超预期；c. 按2026年全球CSP约6000亿美金KPIX计算，2026年服务器相关存储器需求增速至少30%
·存储价格走势预期：a. 9月初存储现货价格每天大幅上涨；b. 产业链对2025年四季度存储合约价格预期上修，实际落地报价超预期；c. 北美已开始谈2026年一季度合约价，2026年一季度合约价格超预期概率大
·国产存储扩产受益：在存储行业2026年大缺货背景下，长鑫存储、长江存储扩产有望超预期，叠加逻辑先进制程扩产，国内整个产业链有望受益
2、存储链设备板块分析
·设备板块表现与驱动：存储大扩展及缺芯涨价背景下，设备板块关注度高，股价反应较强。2025年年初以来半导体设备10万指数增长56%，其中北方华创增长53%、中微44%、拓荆科技120%、维导纳米140%；9月初以来受存储全新涨价催化及产品上市预期强化，近两周涨幅显著，9月初以来拓荆科技涨幅77%、微导纳米涨幅52%。这些设备股因两寸敞口大，下游大客户扩产带来的订单预期弹性更乐观，且本身有不错的订单及业绩表现，故涨幅更突出。
·两存扩产设备弹性：调研交流显示，26年两存扩产预期10~11万片，此预期偏保守。以长鑫、长存为例，长鑫每万片投资约95亿元，长存每万片投资约70~80亿元；假设长存每万片扩产，带来的七八十亿投资中，给拓荆带来小10亿左右额外订单，按当前市场估值对应10%左右弹性；长鑫后续扩产后，美系设备供应影响下国产化率有望提升，每万片扩产也有望带来近10%弹性。拓荆、微导等标的两成采购占比大（微导达80%），存储行情持续性及扩产预期对股价弹性帮助大。
·设备板块其他催化：设备板块除存储扩展外，国内AI芯片及手机消费电子产能紧张，未来5年规划中产能布局更积极，将带来上游设备需求。每年订单交流通常在年初，有望在1~2月催化启动；从往年情况看，每年年初设备板块胜率较高，赔率值得期待，北方华创等PE较低的标的，市值有进一步增长机会，值得重点关注。
3、存储链代工与封测环节分析
·代工环节（晶合集成）机会：晶合集成主业为BDIC芯片，后续拓展CIS、GMOS领域，其驾动率处于满载状态，展望2026年（明年）有望保持满载。CBA技术发展有望让存储阵列与CMOS外围电路分开制造，产生逻辑代工外包需求。以28纳米为例，台积电代工价约2500~3000美金/片，若外包1万片每月产能，年营收有望达21亿元，按15%净利润率计算，年利润约3个多亿；若3万片每月则营收60多亿、利润约10亿。中远期假设全球流量月产能300万片，国内占100万片，若一半采用CBA技术，相关外包商有望获得150亿左右利润增量，晶合集成有望承接该红利。
·封测环节（汇成股份）机会：汇成股份通过参股方式直接和间接持有新封科技27.5%股权，新封科技母公司为华东科技（台湾华邦电一脉），在DRAM封装、POP堆叠封装有深厚积累，是长兴LPDDR配套封测厂之一，具备LPDDR5量产封装能力。新封科技当前月产能2万片，预计2024年提升至6万片/月。借助新封科技3D cube解决方案优势，结合汇成股份下游消费电子客户资源积累，双方合作值得期待。
4、存储技术趋势与产业链机会
·CBA与CF square技术解析：存储产业国产DRAM未来技术趋势向CBA加CF square方向发展。DRAM芯片分为存储单元阵列和逻辑电路两部分，每个存储单元由电容器和晶体管构成。CF square技术对存储单元架构创新，将存储单元的水平晶体管改为垂直方向，减小存储单元面积，在光刻节点无明显提升的情况下，大幅提高DRAM芯片的存储密度。CBA技术则将晶圆上的存储电路和逻辑电路拆成两片晶圆单独制作，一片为存储单元阵列晶圆，一片为逻辑电路晶圆，两片晶圆单独制作完成后通过混合键合工艺连接，形成完整的DRAM存储器晶圆。
·技术带来的产业链需求：CBA与CF square技术带来多环节产业链需求。a.逻辑代工方面：晶合集成有望承接长鑫未来DRAM拆分后的逻辑晶圆代工业务，其与长鑫均地处合肥，对合肥具有战略意义，后续制程将从20多纳米持续推进，弹性较大；b.设备需求方面：带来混合键合及解键合相关设备需求，涉及拓荆科技、百奥化学等设备厂商；光刻机是半导体设备中国产化率最低（国产化率基本为0）、技术壁垒最高的类型，近年精度快速推进且产业持续突破，但股价从之前高点下跌20%~30%，其卡脖子环节为光学零部件（包括镜片镜头）及光源，重点推荐光刻机产业链核心标的茂莱光学、波长光电、福晶科技、阿石创、汇成真空等。