$华润微(SH688396)$ 在2026年1月通过互动平台确认其新型铁电存储器技术布局，该技术以氧化铪基材料为核心，采用垂直结构设计（VFeRAM），在存储密度、环境适应性和读写性能等方面具有显著优势。以下是具体技术优势的分解：

一、材料与结构创新

铪基铁电材料
采用氧化铪（HfZrO）作为存储介质，与传统锆钛酸铅材料相比，具有更好的CMOS工艺兼容性，可在现有芯片制造产线实现集成。该材料被摩尔定律提出者评价为"CMOS技术发明以来最大的技术革命"。
垂直3D沟槽设计
突破传统平面结构的集成度限制，存储密度较传统FeRAM提升3倍以上，理论密度可达每平方厘米20TB（相当于邮票大小存储1万部高清电影）。

二、关键性能指标

性能维度参数表现行业对比优势读写速度2ns/5ns接近DRAM的速度水平高温稳定性175℃环境下数据保持10年超越Flash的耐温能力耐久性>1E12次擦写循环优于NOR Flash 1-2个数量级功耗待机功耗低于1μW适合物联网边缘设备三、特殊场景适配能力

抗辐射特性
在太空等强辐射环境中仍能保持数据完整性，已通过航天级验证。@亚太地区首帅 指出该特性使其成为卫星存储的核心解决方案。
嵌入式集成
开发了嵌入式铁电存储MCU制造平台，可直接集成到智能卡、工业控制芯片等场景，减少外围电路复杂度。$普冉股份(SH688766)$ $斯迪克(SZ300806)$