「硅光密码」硅光模块产业链拆解 · 核心企业解读
【前言】
各位，周末愉快。
上一篇【听风】频道里介绍了部分硅光，本文再阐述一篇，挑选硅光中26年产业化落地和业绩兑现度高的“硅光模块产业链”，拆解分析下。
同时9月以来有所调整，也便于在产业链中去伪存真，挑选未来EPS继续高景气的公司跟进。
硅光子集成，后续还有CPO共封装光学、OCS全光交换机、OPTICAL I/O互联（CHIP TO CHIP）等，不过以上这些硅光技术趋势，26年还无法产业化落地，此前市场一度炒到了OCS，那么普通投资者就要清醒点儿，过于超前投资，就是题材炒作了。
本文主要介绍几个细分，包括光芯片、CW激光器芯片、调制器、探测器、电芯片等。同时并加上个人对细分中部分重点企业的个人看法。
{个号看过的亲可以略过，雪球再发留档}
「风险提示：本文企业投研结论系个人投资笔记，个人观点仅供参考，不构成投资建议」长文预警：11000字
【正文】
一、硅光子与硅光模块产业趋势
1、硅光模块2026年产业化放量的底层逻辑
硅光模块与传统光模块场景相似，应用场景主要是数据中心通信和电信网络通信。是适应AI互联要求的光通信领域的更高性价比方案；
根据Yole预测，硅光模块2029年市场规模将达到103亿美元，过去5年CAGR达45%；对应硅光模块销量近1800万只；
硅光方案本质，是用半导体技术参与光模块生产的技术，具备稳定性好、集成度高、成本低、供应链复杂度低等优点；
同时，头部光模块企业通过自研硅光调制器等核心器件，大幅降低BOM成本，降低单位售价进一步促进商业化落地，同时仍能提升企业自身盈利能力。
硅光模块相比传统光模块成本降低约20%，功耗降低近40%；
硅光模块通过高集成度的硅光芯片和CW光源方案实现了显著的成本优势，以800G光模块为例：
1）相较于传统单模光模块，硅光模块将传统分立式光器件（TOSA/ROSA）替换为单片集成的硅光芯片；
2）CW光源以1供多路方式替代8颗100G EML激光器；
3）硅光芯片的高集成特性还减少了PCB/结构件的复杂度，相关PCB/结构件用量减少。
【个人解读】
硅光方案正是基于以上特点，所以商业化进程快，企业推动落地快；
硅光模块的放量可以进一步提升光模块公司的毛利率水平，延长景气度周期并拔高估值；
同时硅光子技术也是通往CPO的过程。所以26年规模化铺开，相关产业链细分的业绩兑现度就高，比如CW光源、比如配套光引擎、EML光芯片等。
2、2026年硅光可能超预期的产业观点
1）硅光模块需求总量及渗透率超预期；
2）下游客户接受意愿超预期；
3）cw光源等配套生态发展可能超预期；
4）EML光芯片供应紧张，终给国内光芯片公司出货机会，甚至有可能弯道超车。
3、硅基材料平台与异质集成是理想方案
硅是理想的光电子集成平台，硅基材料与化合物材料结合(如Photonics-SOI绝缘体上硅材料平台)有望充分发挥产品性能与平衡成本。
1）Ⅲ-Ⅴ族材料如磷化铟InP是高性能激光器的核心材料，因为这类材料是直接带隙材料，具备高发光效率。
2）锗Ge是光电探测器的首选材料，具备优异的光吸收特性，同时在硅基底上外延生长技术成熟。
3）铌酸锂调制器电光效应强(3dB带宽达108GHz)，优于传统的基于InP/GeSi的电吸收调制；薄膜铌酸锂体积更小，结合MRM微环调制更小的结构，适合集成在硅光平台SOI上，有望应用在3.2T速率时代。
（这就是光库科技估值上天的底层逻辑，但光库的估值个人仍然高的认为没法看）
4）氮化硅SiN适用于光波导、耦合器、分光器、复用/解复用器等，材料主要优势是超低的波导损耗和高功率耐受性。
5）未来硅光芯片异质集成，可充分发挥硅基材料成熟的工艺及化合物材料优异的光学特性，远期硅光芯片PIC和电芯片EIC有望封装在一起。
6）硅光模块在性价比优势下商业化进程就大概率超预期，相关产业链如CW光源、薄膜铌酸锂调制器、硅光模块集成商等，业绩兑现度就高。
7）硅光模块在短距离高速场景中，使用CW光源替代传统光模块的EML激光器、节省了温控器件TEC、优化了光模块结构件/PCB用料等，成本节省约20%，功耗优化近40%。
4、硅光模块方案——降本降功耗的重要路径
1）方案概述
硅光模块通过光子集成技术，即光子集成电路技术（PIC，Photonic Integrated Circuit）将光学元器件集成在一个单片之中；
大规模单片PIC使得系统尺寸、功耗以及可靠性都得到大幅度提高，同时降低系统成本；
硅光模块外观与分立式模块较为类似，同为可插拔的形态。
2）对比传统分立光模块
相较传统分立光模块，硅光模块具有高集成度、低成本、低功耗等优势。
高集成度：基于硅基CMOS工艺，将激光器、调制器、波导、光电探测器等光电器件单片集成于单一硅芯片，组件数量大幅减少，体积缩小约30%。
低成本：
（1）相较于III-IV族材料，硅在自然界中丰度优势显著，成本远低于III-IV族材料；
（2）通过集成化设计减少封装工序，组件与人工成本下降；
（3）外置激光器方案具有成本优势。整体硅光模块相比传统光模块成本减少约20%。
低功耗：
（1）高密度集成减少了分立器件之间连接的损耗；
（2）由于不需要TEC来管理温度和性能，功耗降低了近40%。
3）技术趋势
硅光模块外部形态与传统可插拔模块类似，内部由激光器、电芯片、硅光芯片等构成；
现阶段的主流硅光模块，内部并未将激光器及电芯片集成在硅光芯片内部，但是光电单片集成为长期趋势；
当前外置光源，是硅光模块的主流解决方案；
由于硅是间接带隙半导体，很难成为光源材料，目前硅光系统普遍采用磷化铟作为光源；
III-V族激光器需要进行异质集成或外置。由于III-V族激光器与硅光芯片的耦合是关键问题，主流的工艺方案有片上倒装焊集成、片上异质键合集成和片上直接外延生长集成；
当前硅光芯片主要负责光波导探测和调制功能，光源尚未集成在其内，所以外置CW激光光源是目前硅光模块的主流解决方案。
二、硅光技术的历史沿革与应用
1、硅基调制器和激光器——商业化转折点
2004年，英特尔研制出首个1Gb/s硅光调制器，基于载流子色散效应，采用反向偏置PN结结构；
2006年，英特尔与UCSB合作实现硅基混合激光器；
2008年，英特尔推出“雪崩硅激光探测器”，带宽提升至340 GHz；
2013年Luxtera推出首款商用级100G QSFP28硅光模块，采用CMOS工艺实现单片集成，主要面向数据中心短距互联（如DR4场景）；
2016年，Intel推出了100Gbit/s QSFP28 硅光模块。
2013年左右成功实现硅光模块商业化的公司都掌握了硅基高速调制器方案，实现了高效耦合和低成本，激光器解决方案包括外置激光器和异质键合。
（解读：异质键合、异质集成因为涉及材料科学、半导体技术等多学科交叉难点，未来将长期成为高端算力的关键环节，不仅是硅光，还涉及CPO、COWOS先进封装、高阶PCB等多个细分里会频繁提及的难点。所以黄仁勋说CPO是10-20年的产业进程）
2、应用领域——数据中心通信
Lightcounting 预测，基于AI驱动，硅光模块在光模块中的整体份额将从2023年的34%提升至2029年的52%。
硅光模块方案，将成为数据中心通信领域的核心解决方案，主要应用于数据中心内部服务器间、机柜间及数据中心互联的短距传输场景。
3、CPO/OIO与全光交换
这三个是27年及以后的产业趋势，那是铜缆确实在长距离、短距离中都逐步式微了。
1）硅光技术可以用在CPO/OIO（光电共封装）领域
传统的光模块通过铜缆或光纤与其他电子组件相连，在高速信号传输过程中容易产生较大的功耗和信号损耗；
CPO（Co-Packaged Optics）主要用在交换机端口，通过将光模块和交换芯片紧邻封装在一起，可以降低功耗、提高信号完整性、减少延迟，并且缩小了其体积；
承担以上技术制造环节落地的，一直是台积电及台湾省硅光子联盟。台积电在硅光(SiPh)和光电合封(CPO)技术上，逐步取得进展，同时良率与技术难题也将长期存在。
2）全光交换方案在数通中心的应用
OCS（Optical Circuit Switch）全光交换技术是一种基于光学交叉开关原理（M个输入光口和N个输出光口之间可以任意切换）的光信号控制交换技术；
其优势包括：
1）能够适应未来速率升级需求，实现多次速率升级的平滑过渡；
2）OCS可在物理层实现可重构，适配不同训练任务的需求，提高网络可靠性；
3）高精度低损耗、高性能低时延；
4）节省硬件成本。
三、硅光模块产业链各细分及关键企业
硅光模块由于制造商的推动顺利及客户接受意愿强的底层逻辑，26年即可以大规模商业化落地。
那么其中的关键企业的投资价值便较大，同时具体企业要结合企业营收结构及估值具体评估。
1、硅光全球产业链格局
全球硅光产业链包括英特尔、思科、Marvell、博通、英伟达和IBM等主要的垂直整合企业；
其中英特尔为全球龙头，在数据通信领域，英特尔在出货量和收入方面属于市场头部；
以及AyarLabs、OpenLight、Lightmatter和Lightelligence等初创公司/设计公司；
UCSB、哥伦比亚大学、斯坦福工程学院和麻省理工学院等研究机构；
GlobalFoundries、Tower Semiconductor、imec和TSMC台积电、等代工厂，还包括应用材料、阿斯麦和爱思强等设备供应商。
2、CW光源激光器芯片
1）外置CW激光器为主流方案
激光器芯片以外置CW（连续波）激光器为主流方案，单颗激光器能驱动多个通路，节约成本；
目前硅光模块中多采用外置CW激光器的方案，即采用InP或GaAs等III-V族化合物半导体作为增益介质，并将激光器芯片封装于气密管壳内，再将激光器与硅光芯片耦合；
CW激光器以连续波模式工作，输出功率大且稳定、波长可调（覆盖1310/1550 nm通信波段），且具备低噪声和长寿命特性；
外置CW激光器可通过空间光学（FSO）及光纤耦合，避免硅光芯片过热。后续技术方案中，硅光芯片有望集成隔离器。
2）光电单片集成是发展趋势
未来硅光模块中激光器方案，向异质集成和单片集成发展，同时，如何实现高效集成存在挑战；
为简化硅光模块结构、缩减模块体积、优化耦合效率，未来将InP激光器集成在硅光芯片上将是主流技术趋势；
混合集成、异质键合及异质外延是三种实现高度集成的技术路径，目前intel采用异质键合技术；
异质集成技术将预先外延生长的化合物半导体材料如量子阱和量子点转移到硅光衬底上并进一步加工成片上激光器，具体方案为异质键合；
3）CW激光器国内核心玩家
70mW的CW激光器可满足400G/800G硅光模块需求；
100mW的CW激光器可用于800G及1.6T的硅光模块。
核心玩家进展：
A.源杰科技
最新半年报显示：CW 70mW 激光器产品实现大批量交付，采用非制冷设计，具备高功率输出和低功耗特性，适用于数据中心高速场景，成为公司新的增长极；
CW100mW 激光器产品，在同样具备高可靠性的前提下，已通过客户的验证；
公司的 100G PAM4 EML 产品已完成性能与可靠性验证，并完成了客户端验证。更高速率的 200G PAM4 EML 完成产品开发并推出。
B.仕佳光子
最新半年报显示：公司硅光模块用CW DFB 激光器已获得业内客户验证，实现小批量出货；
公司数据中心用 100G EML 已完成初步开发，正在客户验证中；50G PON 用 EML 相关产品，正在客户验证中。
C.长光华芯
最新半年报显示：公司100G EML已实现量产，200G EML已开始送样；
100mW CW DFB 和 70mW CWDM4 DFB 芯片已达到量产出货水平；
同时，公司超前布局硅光、薄膜铌酸锂等多种技术路线。
4）个人解读
上述三家企业都是国内顶尖的有源光芯片企业，各有优势。但笔者此前多篇文章阐述，有源光芯片是产业链明珠，以及极高的认证门槛；
上述进度虽然表述看着差不多，实际产业进度差距巨大；
源杰之所以市场给予如此高的估值，基于实际认证、量产进度及产能准备，CW 70mW的放量，100mW及EML的放量已在路上，公司实际优势除了技术之外，更重要的是旭创的紧密关系，这个细分不是有产品就有客户；
光子虽然有源明显弱于其无源产品，且公司也在持续发力巩固无源地位，包括MPO的发力。但有源的出货也很有机会，逻辑在于其与英特尔的紧密合作关系，英特尔作为硅光全球龙头企业，光子的研发实力和产品力基于中科院背景，不用怀疑，虽然产业进度尚处于验证中，但基于产业逻辑，个人认为光子仍是非常有机会的。要持续跟踪进展；
上述两家出货的关键点不是产品和研发实力，是客户，是全球AI巨头的紧密关系，长光华芯这方面目前偏弱，又选了个最难的赛道，也许未来在国产替代方面有机会规模出货。
3、调制器——薄膜铌酸锂调制器
1）调制器分类-逐渐向薄膜铌酸锂发展
传统光模块中调制器按照调制类型分为内调制/直接调制和外调制，外调制原理包括电吸收效应和电光效应；
铌酸锂调制器，则依赖铌酸锂晶体的线性电光效应，通过外加电场直接改变晶体折射率，具有宽透明窗口和高电光系数，在过去的几十年内成为主流的商用电光调制器材料平台；
但是体铌酸锂存在器件体积较大、成本较高的劣势，近年来逐渐向薄膜铌酸锂发展。
薄膜铌酸锂，有潜力成为制造高性能集成光子器件的理想平台；
薄膜铌酸锂保持了铌酸锂晶体优异的电光与光学特性，同时目前3dB带宽达到108GHz（显著优于目前硅光调制器的67GHz），在3.2T光模块中可能大规模应用；
同时薄膜铌酸锂可以转移到硅基光电子集成平台，可异质集成，可作为未来硅光模块调制器的解决方案；
薄膜铌酸锂调制器结构，分为MZM和MRM，目前均在实验室实现了在硅光芯片上的异质集成。
2）调制器方案-MRM为下一代硅光芯片核心方案
调制器的方案包括马赫-曾德尔调制器（MZM）/微环谐振器（MRM），MZM是现阶段主流方案，未来高集成度MRM是趋势；
MZM基于双波导臂干涉原理，通过电信号改变波导折射率实现光强调制，其优势在于全带宽工作（支持C/L/O波段）和高工艺容差（对制造误差不敏感）；
劣势是MZM的尺寸较大（通常>2mm）、功耗较高（反向偏置载流子耗尽型需高驱动电压）限制了其在超紧凑场景的应用；
MRM基于微环谐振腔的波长选择性，通过改变谐振条件实现调制；
MRM的制造工艺较复杂，其核心优势是超小尺寸（半径可<10μm）和低功耗（驱动电压仅需1-2V）。MRM的高密度潜力使可能成为下一代硅光芯片的核心方案。
3）国内核心玩家-光库科技
这个细分赛道具备全球竞争力的国内企业比较少，仅光库科技，所以具备一定稀缺性，市场也给予了非常高的估值；
机构看法：
公司半年报显示：
公司是超高速调制器芯片和模块产业化、规模化领先的公司之一；
公司拥有全球一流的技术团队，具备800/1600/3200Gbps 速率的非相干薄膜铌酸锂调制器芯片和器件的关键能力。
【个人解读】
铌酸锂调制器是我国"卡脖子"技术之一，所以市场给予了光库科技非常高的估值；
结合25年半年报营业结构看，目前还是国内客户占比高，占比55%，国外营收占比提升至45%。营业结构依旧是光纤激光器件为主，占比约42%，客户以国内工业激光企业为主；
公司的核心看点还是光通信器件业务，占比仍维持约47%，与24年年报对比没有变化，增速从58%提升至74%，依旧是公司的核心增长点；
同时公司继续外延式收购无源光器件业务，试图扩大公司光通信产品矩阵；
公司核心看点还是铌酸锂调制器，而不是外延收购的无源光器件；
市场规模预测：LightCounting预测，2029年全球TFLN调制器市场规模有望达7.5亿美元，光库科技作为国内唯一能量产的企业（收购Lumentum产线），技术领先国内同行3-5年，机构预测铌酸锂调制器。
公司的核心问题还是估值与业绩兑现度问题，源杰除了过了认证关，也早早布局了产能，光库目前的估值，还是较大幅度的透支了未来一段时间的光通信器件成长的估值；
公司的产业链地位可以一定程度类比源杰科技，但基于铌酸锂调制器占比过低，给予26-27年增长2-3倍的假设，其他传统业务及光器件业务给予正常的赛道成长估值，那么公司的估值目前也是偏高；
不过结合光通信行业未来前景，公司具备长期价值。后续继续保持跟踪。
4、探测器、耦合器、复用(MUX/DeMUX)器件
1）探测器
探测器负责将光信号转换为电信号，主流产品包括PIN和APD两类，材料以锗（Ge）和磷化铟（InP）为主。
PIN探测器：
基于光电效应将光信号转换为电信号。无内部增益，结构简单、响应快、偏压低，广泛应用于常规光通信和光功率检测。
APD探测器：
利用雪崩倍增效应实现光生载流子的内部增益。灵敏度极高，但需高反向偏压。主要应用于弱光探测场景，如长距离光通信和激光雷达。
硅光模块中探测器材料方案，分为硅基锗（Ge-Si）探测器和Ⅲ-V族材料异质集成方案；
前者性能优越，器件制备技术与CMOS工艺兼容适合大规模集成，是目前的主流方案。后者耦合效率高、灵敏度高响应快；
锗（Ge）具备优异的光吸收特性，同时在硅基底上外延生张技术成熟；
目前硅光芯片上硅基锗探测器以PIN型为主，APD型将具更高灵敏度。
1）探测器领域，全球目前由日美企业主导。包括：
滨松光子学株式会社（Hamamatsu），成立于1953年，是日本光科学、光产业大型跨国公司，是光产业界的领军企业；
安森美（On Semiconductor），美国半导体公司，提供广泛适合各类应用的全系列硅光电倍增管（SiPM）；
博通（Broadcom），全球知名的半导体公司。在硅光子领域，提供高性能光芯片和器件，是硅光模块产业链的关键供应商。
2）国内企业在硅光子探测器布局的企业有：
目前国内高端硅光模块的探测器仍主要依赖进口。国内企业在超导探测器、高速 APD（如 Excelitas）等领域仍依赖进口，2025年高端探测器进口占比预计达60%。
其硅光模块以自研硅光芯片为核心，采用与 Tower Semiconductor合作开发的硅光平台（如 PH18M），将调制器、探测器等光学器件集成于硅基芯片，实现单波 400G 以上速率；
其1.6T硅光模块功耗降至 12W 以下，探测器与硅光芯片深度绑定。
硅光模块以博通芯片为核心，尤其在LPO（线性驱动）方案中，采用博通的 DSP 芯片（如 BCM85812）集成 TIA（跨阻放大器）和激光驱动，探测器与芯片方案强耦合；
柜内短距互联的硅光模块（如800G SR8），探测器主要采用博通的集成化解决方案；
部分长距模块中，引入自研硅光芯片（如通过收购 Alpine 获得的硅光技术），探测器逐步实现国产化替代。
C.中京光电，由中广核与北京师范大学合作成立，专注于硅光电倍增器（SiPM）研发与生产。
其主流产品 SiPM 器件较传统光电倍增管（PMT）具有探测效率高、体积小、可靠性强等优势，已实现国产化突破。
D.光迅科技，国内少数实现 25G-800G 全系列光芯片量产的企业。
其硅光探测器集成于400G/800G光模块，支持单波100G传输，功耗较传统方案降低30%。
2）耦合器-端面耦合及垂直耦合
A.垂直耦合（光栅耦合器）
通过光栅衍射实现光纤与芯片的垂直耦合，优点是对准容差大、可晶圆级测试，但损耗较高、偏振敏感。
B.端面耦合（主流方案）
通过模斑转换器（如倒锥形波导）在芯片边缘直接与光纤对接耦合；
优势是耦合效率高（理论最优设计可低于0.25dB）、带宽大（1dB带宽可达100nm）且偏振不敏感；
劣势是需要精密的端面抛光和对准，工艺复杂，传统上不利于晶圆级测试。
硅光耦合器全球竞争格局：
A.台积电（TSMC）
是全球硅光耦合方案的重要提供者，可同时提供光栅耦合（GC）和端面耦合（EPIS-BOE）方案；
其COUPE技术将硅光耦合器与 CoWoS 封装结合，实现光引擎与交换芯片共封装，预计 2026 年量产时功耗降至10W以下，较传统方案降低 50%；
B.中际旭创(300308)
400G/800G硅光模块采用自研的硅光芯片，端面耦合器方案自研为主;
基于8英寸硅光平台开发的氮化硅端面耦合器，插损低至 0.5dB/facet，已量产于1.6T DR8 模块。
C.新易盛(300502)
通过收购美国公司Alpine获得了硅光芯片技术，其耦合器方案也应基于此进行自研集成与优化;
自主开发的MMI 耦合器已应用于 1.6T 模块。
3）复用(MUX/DeMUX)器件
复用技术可以成倍增加硅光模块中单通道的数据传输容量，实现硅光模块的带宽提升；
MUX/DeMUX，即合波（Mux）和分波（DeMux）：
•在发射端（合波）：不同激光器发出的不同波长光，有序地合并到一根光纤上，让它们并行不悖地高速传输。这极大提升了单根光纤的传输容量。
•在接收端（分波）：相反，当混合着所有波长信号的光从主干道传来，AWG又像交警一样，准确地将不同波长的光信号分离出来，并引导到对应的接收通道上，互不干扰。
（简单理解上述三个光器件工作原理为：光信号从光纤→ 耦合器导入芯片 → 解复用器将混合光按波长分开 → 各波长的光信号分别进入不同的探测器 → 探测器将其转换为电信号输出）
MUX/DeMUX器件种类包括AWG、MZI、EDG、MRR等；
本质都是无源光芯片，它们的任务就是把光信号合到一起（复用/MUX）或者分离开（解复用/DeMUX）；
它们都是通过在硅基上刻出精密的结构，来实现波长路由功能；
其中，MZI和BWG常用于粗波分复用，通道间隔较大（20nm）；
密波分复用中AWG是最常用的结构，MRR由于尺寸较小能实现高集成度成为研究热点。
（仕佳光子供应英特尔是AWG芯片，就是这里的Arrayed Waveguide Grating，阵列波导光栅）
赛道核心企业：
由于上述几个无源光芯片在设计复杂度、制造工艺、材料与封装等方面具有很高的技术门槛，参与到国际产业链中的核心企业较少。
AWG方面，仕佳光子算是打入了国际产业链，进入了英特尔供应链；
MZI (马赫-曾德尔干涉仪)，这结构常被集成到更大的硅光芯片中，而不是单独作为一个器件去卖；光迅科技和华为海思在做硅光集成芯片时，都会用到MZI结构来做调制器或复用/解复用器。他们有量产能力，但通常是自己用或者给自家系统配套；
EDG ( etched diffraction grating - 蚀刻衍射光栅)，国内基本空白；
MRR (微环谐振器) ，处于研发阶段，国内及全球目前尚无无大规模量产领军企业，华为、光迅、仕佳光子以及一些大学实验室肯定都在研究。
（了解以上，就明白了笔者为什么看好仕佳光子有潜力是未来光通信小巨头之一，上看市值500亿+）
4）电芯片（DSP）
该细分由美日企业主导。
Macom、Marvell（收购Inphi）、Semtech、三菱、住友、TI、ADI（收购美信）等企业凭借先进工艺和高端技术主导市场。
Macom可提供用于1.6T光模块的TIA芯片，产品包括用于相干和PAM-4接收机的线性TIAs以及用于基于NRZ的接收机的限制性TIA/Driver，具有市场领先的增益、噪声性能和功耗。
Marvell（收购Inphi）提供用于长距离及数据中心内短距离通信光模块TIA芯片，具有良好线性度、高带宽、低噪声、低功耗等优势。
综上，结合以下两张图，再理解下硅光模块内部各光器件的构成。
四、硅光模块产业链全球及细分核心企业巡礼
以下巡礼企业不代表投资建议，仅为介绍公司在其细分领域的产品矩阵、技术布局、工艺进展等。
具体投资机会需要结合企业基本面，再定性定量评估。
源杰科技、仕佳光子、光库科技前文都介绍过了，下文不说了。
1、中际旭创
全球龙头，不用过多介绍。
硅光布局进展：
2024年，公司在OFC展会上发布面向AI算力的800G与1.6Tbps硅光模块整体解决方案，涵盖采用自研硅光芯片的1.6T-DR8 OSFP线性驱动模块；
在2025年OFC展会上，公司报道了一种氮化硅单taper的端面耦合器设计，实现了极低插损并完全基于代工厂可获取的8英寸标准工艺；
25Q2 1.6T已开始逐步出货，预计未来两个季度1.6T将持续量产和规模出货。同时公司也在积极推进高端产品如1.6T和800G；
在国内和海外的产能建设,保证在行业需求快速提升的同时,继续保持交付能力的优势；
公司在今年OFC上现场演示了单波400G的技术,已经具备3.2T产品的开发能力,目前也在积极的研发过程中。目前3.2T还没有产生需求；
部分客户开始从GPU过渡到ASIC芯片，部分客户的ASIC对应的光模块比例也在提升，整体800G和1.6T需求呈现快速增长的趋势，scale-out仍有较大的光模块需求空间。
2、新易盛
2022年，公司通过收购境外参股公司Alpine Optoelectronics, Inc深入参与硅光模块、相干光模块以及硅光子芯片技术的市场竞争；
公司在2022年OFC上展示了单波长100G QSFP28 O 波段xWDM PAM4 光模块，基于硅光方案的高速光模块（400G、800G 等产品）均采用Alpine 自研硅光子芯片；
公司目前已成功推出基于VCSEL/EML、硅光及薄膜铌酸锂方案的 400G、800G、1.6T 系列高速光模块产品，400G 和 800G ZR/ZR+相干光模块产品；
以及基于100G/lane 400G/800G LPO 和基于 200G/lane 的 1.6T LRO 光模块产品；
公司是国内少数具备100G、400G、800G 和 1.6T 光模块批量交付能力的、掌握高速率光器件芯片封装和光器件封装的企业。
3、天孚通信
全球领先的光器件产品和解决方案龙头企业；
在高速数通光模块领域，公司推出400G、800G、1.6T 等配套产品，包括光引擎以及上游无源光器件，已在多个客户实现批量交付；
高速光引擎的量产帮助公司实现业务上的纵向垂直整合，提升公司在光模块内部的单位价值量，同时光引擎是CPO 环节核心硬件，符合技术长期发展趋势；
具体产品线包括陶瓷套管、光纤适配器、光收发组件、OSA ODM高速率光器件、光隔离器、MPO高密度线缆连接器、光纤透镜阵列(LENS ARRAY)、光学镀膜、插芯、Mux/Demux耦合、BOX封装OEM等；
在研项目围绕1.6T、硅光布局，无源业务稳定增长，光引擎实现大批量交付。深化全球业务布局，提升泰国生产基地的规模交付能力；
公司也在重点研发硅光器件、硅光器件耦合等。公司目前提供高性能的高速光引擎产品及方案，涵盖CW、DFB、EML芯片和硅光芯片等类型；
2025年3月，全球领先的硅基光电子技术公司OpenLight宣布将与天孚通信建立合作，将外包半导体组装和测试服务与先进的光学通信系统引擎设计相结合，全面优化供应链解决方案，以更低的成本加快产品上市时间；
OpenLight将支持天孚通信收购完整晶圆的开发并提供后端流程，包括晶圆级碰撞、测试、研磨和切割。
4、亨通光电
2018年，公司与英国洛克利成立合资公司亨通洛克利，依托英国洛克利在硅光子芯片设计领域的强大研发团队以及丰厚技术经验，研制 100G 及以上高速硅光子芯片；
2019年，公司通过向特点对象发行股票募集资金投向100G/400G 硅光模块研发及量产项目，同年发布发布第一款 400G QSFP-DD DR4 硅光模块；
光纤阵列与硅光芯片的自动化无源耦合方案，并利用成熟的COB封装技术，大幅简化光模块的设计和制造；
2021年发布量产版 400G QSFP-DD DR4 硅光模块，由于使用了独特设计及工艺制造的硅光芯片，极大地降低了制造成本；
目前，公司基于国产化硅光集成芯片的400G QSFP112 DR4 产品正在客户端测试中，该产品在 0-70℃温度范围内，以低于10W 的低功耗和低误码率性能完美支持 500 米的传输距离应用。
5、德科立
产品有GPONOLT、COMBOPON 及BOSA等，还包括前传子系统及各种10G、25G灰光和彩光光收发模块；
公司自研核心光器件，整合硅光、TFLN技术，长期致力于长距离光传输的技术研究和产品开发；
目前400G 相干光模块完成产品技术验证，非相干光模块产品研发快速迭代，为 5G 前传、城域 DCI、骨干网等场景提供差异化解决方案，形成新的业绩增长点；
公司正加速推进单波800G 及1.6T 超高速传输系统的预研工作；
公司参股铌奥光电，布局薄膜铌酸锂。铌奥光电是一家薄膜铌酸锂调制器芯片设计研发商。专注于薄膜铌酸锂调制器芯片及相关光互连器件的设计、研发和销售，具备大规模量产及交付能力。
6、海外全球竞争格局
篇幅有限，国内其他企业不一一介绍了。
硅光行业海外市场格局：
Infinera是大规模InP PIC技术及产业的领导者；
Intel、Luxtera（Cisco收购）等是硅基光子集成产业应用的引领者，Sicoya（熹联光芯收购）、Rockley（与亨通光电成立合资公司）、Inphi（Marvell收购）、Acacia（ Cisco收购）在硅基光电集成收发芯片的设计方面也较为领先，硅光模块封装环节依旧是传统光模块的封装厂商占主导。
五、总结综述
如此大费周章地阐述硅光产业链，因为25H2至26年正是产业爆发期，可以理解为硅光模块细分赛道仍有Beta；
在大Beta赛道里，也必然会产生很多Alpha个股机会，或者说有些质地一般的企业（如剑桥科技），也会借赛道巨大的增量，在接下来一年多的产业爆发期，攫取一定业绩；
产业链中依然是光通信产业通病，最高技术门槛产品还是掌握在美日企业手里，比如电芯片、部分光器件，但同时由于集成商龙头是国内企业，也在扶持一批国内企业逐步通过认证，逐步可以在全球AI产业链“上桌”，比如源杰科技、仕佳光子、天孚通信、光库科技；
所以如果有人质疑为什么组合里反复提及这些企业，不去进一步下沉挖掘Alpha。笔者回复是，你以为全球AI产业链那么容易上桌的吗，炒概念和投资是两码事；
硅光赛道由于买家、卖家都能获得巨大好处，各自有降本增效，所以规模爆发，这种26-27年的确定性，导致光模块龙头企业26年不会杀PE，这对算力投资至关重要，也是中期投资的底层逻辑；
硅光模块进度相较于27年的OCS、IO互联等方案，成熟度更高，商业规模更大，且国内不少大小企业都能拿到部分份额，且有业绩，所以这里可以持续深研；
头部企业的成长仍是确定的，产业链卡位是很稳的，且仍将维持毛利率上升趋势。
另外多说一句，普通投资者要培养深入的投资体系、产业认知和独立思考，辨别产业趋势与题材的区别。AI本就是技术路线迭代迅速的行业，资本市场复杂，动不动用个实验室方案出来，动机不明白吗。
比如此前PCB领域的COWOP方案，曾短期引起波动，一个长期方案，拿到指导当下投资就是错误的，资本市场聒噪，AI更聒噪。
直接影响企业EPS的技术变更，才是投资者要关注的。各自领会吧。
今天就聊这些，周末愉快。
景云鹏 25.9.13
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