炬芯科技存内计算，突破冯·诺依曼架构

芯片硬科技国产替代是过程，终局是技术突破。

今天聊个技术贴，炬芯科技存内计算王者，突破冯·诺依曼架构。

▋冯·诺伊曼架构

传统芯片遵循冯·诺伊曼架构，计算单元与存储单元分离，数据搬运消耗90%能耗与70%时间（“存储墙”问题）。

▋炬芯存内计算

炬芯的MMSCIM技术直接在存储单元内完成计算，消除数据搬移环节，实现存储与计算深度融合。

▋第三代产品超越冯·诺依曼架构能效天花板

第二代（2025年）单核300GOPS，能效比 7.8 TOPS/W，原生支持Transformer模型

第三代（2026年目标）单核1TOPS，能效比 15.6 TOPS/W，超越冯·诺依曼架构10 TOPS/W的能效天花板。

▋端侧AI芯片

端侧AI，2028年预计达 40亿台（年复合32%），75%设备需高能效专用硬件。

2025年消费类音频市场规模 6,781亿元，2032年超 1.5万亿元

存内计算架构+三核异构设计，直击端侧A