芯联集成688469三大核心问题解析与未来前景

一、建厂至今总投入

截至2025年11月，芯联集成建厂至今累计投入已超过450亿元人民币，主要包括：

- 一期工程：2018年3月成立，5月开工奠基，2020年一季度投产，总投资约65.64亿元（MEMS和功率器件芯片制造基地）

- 二期工程："二期晶圆制造项目"总投资110亿元，由芯联越州实施，2021年启动

- 三期工程："三期12英寸集成电路数模混合芯片制造项目"总投资222亿元，规划10万片/月产能，已完成3万片/月建设

- 碳化硅业务：投入约60亿元（芯联越州总投资），用于SiC MOSFET研发和产能建设

- 其他投资：研发投入累计超42亿元（2022-2024年），以及收购芯联越州72.33%股权的58.97亿元

二、未来增长点

芯联集成已确立"新能源+智能化"双引擎战略，聚焦四大核心市场：

1️⃣ AI市场（第四增长极）

- AI服务器电源：已布局GaN/SiC高频功率芯片和DrMOS融合电源IC，产品覆盖50%以上AI服务器电源价值，180nm BCD电源管理芯片已量产，55nm BCD集成DrMOS通过客户验证

- 人形机器人：提供高性能功率芯片和MEMS传感器，已获机器人灵巧手订单，覆盖语音交互、姿态识别等场景

- 智能驾驶：激光雷达核心芯片(VCSEL、MEMS振镜)和高精度传感器进入量产，智驾下沉带动模拟芯片、功率芯片需求爆发

2️⃣ 碳化硅(SiC)业务（高速增长引擎）

- 已建成中国首条、全球第二条8英寸SiC产线，2024年营收突破10亿元，同比增长超100%

- 覆盖国内新上市SiC车型超半数定点项目，6英寸SiC MOSFET新增定点超10个，5家汽车客户进入量产

- 8英寸SiC产线2025年下半年量产，成本大幅降低，市场渗透率将进一步提升

3️⃣ 车规级芯片（基本盘）

- 已成为中国最大车规级IGBT生产基地，为整车提供约70%的汽车芯片

- 车规级功率模块2025年Q1收入同比增长超100%，高功率IGBT/SiC MOSFET封装技术达国际领先水平

4️⃣ 模拟IC与MEMS（新兴增长曲线）

- 模拟IC业务2024年同比增长超8倍，拥有多个G0等级车规工艺平台

- MEMS传感器（压力、麦克风、惯性）已进入高端消费电子和汽车领域，全球市场份额持续提升

三、核心技术

1️⃣ 功率半导体技术

- BCD工艺平台：国内最完整的高压BCD解决方案，覆盖55nm到180nm全制程，已获多项国家专项支持

- IGBT技术：自主研发的车规级IGBT芯片已实现规模化量产，性能达国际一流水平

- SiC MOSFET技术：全面布局650V-2000V SiC工艺，最新一代产品性能达世界领先，月产能超5000片

2️⃣ MEMS技术（国内领先）

- 压力传感器：自主研发的MEMS压力传感器技术已获专利授权，精度达国际水平

- SON结构技术：攻克MEMS结构塌陷难题，大幅提升可靠性，已获专利

- 高端麦克风：高性能MEMS麦克风平台已量产，应用于旗舰手机和车载系统

3️⃣ 先进封装技术

- 车规级高功率封装：自主研发的IGBT/SiC MOSFET封装技术，热阻和可靠性达国际领先，已大规模应用于新能源汽车主驱逆变器

- 系统级封装(SIP)：实现功率器件、驱动芯片和保护电路的高度集成，大幅提升系统性能和可靠性

4️⃣ 数模混合与电源管理技术

- DrMOS技术：国内首个55nm BCD集成DrMOS芯片通过客户验证，180nm DrMOS已量产，应用于AI服务器和数据中心

- 高压模拟+MCU融合：开发高压模拟嵌入高可靠性控制单元的技术平台，适配智能驾驶和工业控制需求

技术实力证明：截至2024年底，公司承担7项国家重大科技专项，累计申请专利超1000件，2024年研发投入18.42亿元（占营收28.3%）

总结

芯联集成已构建"技术-产能-生态"三重壁垒，未来将持续加码AI与新能源领域，通过"8英寸硅基+12英寸硅基+化合物半导体"的全技术路线布局，巩固其在车规级特色工艺领域的领先地位，目标2026年实现全面盈利转正，营收规模达百亿级 。$工业富联(SH601138)$ $芯原股份(SH688521)$ $芯朋微(SH688508)$

注：数据截至2025年11月，部分项目投资仍在进行中，最终总投入可能进一步增加。