存储超级周期—上游材料(一)

存储材料，即存储芯片上游关键材料，如光刻胶、溅射靶材、前驱体/沉积材料、高纯化学品、电子特气等。这些材料在先进存储制程中用量倍增，国产替代加速。

南大光电
国内ArF光刻胶量产+认证最领先，已实现14nm工艺突破，两款ArF光刻胶获主流存储厂（长鑫/长江存储）认证，前驱体材料覆盖全品类存储芯片（ALD/CVD沉积关键）。存储芯片先进制程对ArF浸没式需求激增，公司打破美日垄断，2026年产能释放+订单放量弹性极大。机构调研密集，视为国产光刻胶“最硬核”龙头，短期情绪+中长期国产化双击，潜力最大。

江丰电子
超高纯金属溅射靶材存储芯片核心材料龙头，已广泛应用于全球半导体（包括存储），韩国基地布局加速出海+国产化。静电卡盘实现0→1突破，靶材自主率<10%空间巨大。存储扩产（长鑫/长江）对靶材需求倍增，公司全球市占提升+出海共振，2026年业绩高确定性增长，估值弹性强。

晶瑞电材
光刻胶+高纯化学