联电冲刺硅光子布局
2025年12月10日 09:54
晶圆代工厂联电宣布与比利时微电子研究中心(imec)签署技术授权协议，取得imec iSiPP300硅光子制程，联电将推出12寸硅光子平台。ICC讯 晶圆代工厂联电宣布与比利时微电子研究中心(imec)签署技术授权协议，取得imec iSiPP300硅光子制程，该制程具备共封装光学(CPO)相容性，借由此次授权合作，联电将推出12寸硅光子平台，瞄准下一代高速连接应用市场。
联电表示，AI数据负载日益增加，传统铜互连面临瓶颈，硅光子技术以光传输数据，成为资料中心、高效能运算及网路基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。联电将结合imec经验证的12寸硅光子制程技术、加上联电绝缘层上覆硅(SOI)晶圆制程，为客户提供高度可扩展的光子晶片(PIC)平台。
资深副总经理洪圭钧指出，取得imec最先进的硅光子制程技术授权，将加速联电12寸硅光子平台的发展进程。联电正与多家新客户合作，预计在此平台上提供用于光收发器的光子晶片，并于2026及2027年展开风险试产。此外，联电未来系统架构将朝CPO与光学I/O等更高整合度的方向迈进，提供资料中心内部及跨资料中心需要的高频宽、低能耗且高度可扩展的光互连应用解决方案。
IC-Link by imec副总裁Philippe Absil表示，iSiPP300平台具备精巧且高效能的元件，包括微环型调变器，以及锗硅(GeSi)电致吸收调变器(EAM)，搭配多样化低损耗光纤介面及3D封装模组。与联电的合作有助扩大硅光子解决方案市场，加速下世代运算系统的导入。