$三安光电(SH600703)$ 调研纪要（复制来的）
问：2026年三安光电拟为子公司提供的担保额度及涉及对象有哪些？
答：2026年拟为全资及控股子公司提供合计不超过183亿元担保，涉及泉州集成、泉州光通、福建晶安等12家公司；截至2026年1月，已为全资子公司厦门市三安集成电路有限公司提供8亿元连带责任担保（用于融资租赁及综合授信），该额度在2026年第一次临时股东会审议通过的担保范围内。
问：截至2026年1月，三安光电对外担保总额及占比情况如何？是否存在逾期担保？
答：截至2026年1月相关公告日，对外担保总额为163.62亿元，占2024年期末经审计净资产的44.38%、占经审计总资产的27.71%；无逾期担保，且此前拟提供的183亿元担保不存在反担保。
问：2026年三安光电在碳化硅领域的布局及进度如何？
答：实现衬底-外延-芯片-模块全产业链垂直整合，是国内首家6/8英寸SiC功率芯片垂直整合制造平台；截至2025年12月，湖南三安6英寸SiC月产能1.6万片（量产，良率85%+）、8英寸SiC衬底月产能1000片（量产）及外延月产能2000片（稳定供货），安意法（重庆）8英寸车规级芯片月产能2000片（2025年12月风险量产，独家供应意法半导体）；2025年上半年湖南三安SiC业务收入5.32亿元，同比增长3.91%。
问：三安光电在1.6T光芯片、卫星用GaAs太阳能电池及MicroLED领域的2026最新进展是什么？
答：1.6T光芯片（InP基EML激光器芯片）2025年12月完成开发并送样验证，适配1.6T主流封装方案，预计2026年Q3小批量量产，已通过华为海思认证；卫星用GaAs太阳能电池由天津三安运营，国内市占率超50%（商业航天超60%），2025年开发四结芯片（实验室效率38%），应用于北斗三号、中国空间站等；MicroLED聚焦硅基路线（主攻AR眼镜），处于研发验证阶段，部分客户进入方案优化阶段，商业化尚需2-3年。
问：截至2026年1月23日，三安光电股价及市值情况如何？
答：截至2026年1月23日收盘，股价报16.54元，较上周上涨4.75%，1月23日盘中触及近一年最高价16.75元；当前总市值825.18亿元，在光学光电子板块市值排名第3（共92家），在A股市场排名第234（共5182家）。
问：公司在低碳、5G、万兆网络相关领域有哪些产品布局及进度？
答：OD端50GM、JS端1286产品及25G APD、50G APD均有布局；5G相关的11342 EM、1811286及C端手机APP产品已就绪，正配合客户送样验证；50G对称APD产品处于开发中，Q3将推出用于无锡相关应用；万兆网络配套的115、1577、1490等FTTR产品在开发中，正配合头部客户配套验证。
问：CWA相关产品的量产及开发进度如何？
答：70毫瓦、100毫瓦的400G/800G产品已量产，向国内头部厂家送样小批量验证；200-400毫瓦的CTUV光源产品处于开发中，Q4推出；100G相关产品内部验证已完成，3月份正式推向市场送样验证。
问：100G、200G EML及接收端PD产品的进展如何？
答：100G EML已量产，向头部厂家送样小批量验证；200G EML Q2推向市场；100G单模/多模PD（850-1310nm PD头）已量产小批量出货；200G PD处于内部验证阶段，下半年推向市场；100G数据中心传输产品已量产送样，200G vi XO Q4推出送样。
问：应用于光通信的MOCVD、纳米压印等设备台数及产能情况？
答：外延段有8台SST的MOCVD机台，无纳米压印设备，采用光刻+DUV组合工艺，月产能约3000片；MOCVD均为SG four型号，月产能已从3000片扩充至6000片，当前产能充足。
问：当前高端产品良率水平及未来提升路径？
答：以PWMDB产品为例，当前良率约30%-40%，通过持续优化工艺，未来将提升至60%以上。
问：衬底储备及国产衬底导入情况？衬底涨价是否挤压盈利？
答：衬底储备充足，采购渠道通畅，无供应障碍；已导入通美、先导等国产衬底；依托集团平台采购优势，不受衬底涨价影响，未对盈利造成挤压。
问：光刻、DUV等高精度设备对应的产能及设备获取是否有障碍？
答：光刻+DUV组合月产能3000片以上；依托集团平台优势，设备采购无障碍，可根据需求快速协调资源扩产。
问：未来是否会向下游延伸或通过收并购延展业务？
答：现阶段无相关动作，将聚焦化合物半导体强项，完善产品生态；后续是否延伸取决于公司管理层决策，有动作将及时披露。
问：是否会成为光芯片代工厂，为全球赋能？
答：目前已有自有产品，同时接受客户定制及代工业务，产能充足，对代工业务持开放态度，愿为行业生态提供服务。
问：北美市场要求海外设厂，公司如何布局？
答：当前聚焦国内市场，未来将推进全球产业链布局，相关工作已在推进中，详细情况以公司官方信息口径为准。
问：200G PD是否会采用锗硅材质？公司200G PD的规划如何？
答：锗硅材质在长波长使用有性能限制，200G PD目前以InP材质为主；公司200G PD基于InP材质研发，下半年推出，目前市场需求紧缺，已有客户主动咨询，推出后将快速验证上量。
问：PD市场竞争格局如何？100G以上PD的市场规划？
答：100G以下PD公司市场份额超50%，100G以上PD以InP材质为主，公司100G长短波PD正处于客户验证阶段，200G PD下半年推出；目前全球100G以上PD主要由国外厂商供应，公司产品推出后预计将快速放量，具体市场份额待客户端验证通过后进一步披露。
问：碳化硅的产能布局及在AI、数据中心等领域的应用进展？
答：碳化硅产能以湖南制造基地为主，重庆基地为补充，湖南基地从衬底到外延的瓶颈产能折算6寸约1.6万片/月、8寸2000片/月；重庆与意法半导体合资的安逸法（持股51%）以8寸为主，配套全资衬底子公司，达产后月产能折算8寸约4万片，客户仅意法半导体；碳化硅此前主要应用于光伏、工规和车规领域，目前数据中心已纳入公规新品应用范畴，芯片已进入维地、台达、麦格米特等客户供应链，出货量逐步增长。