Wolfspeed erzielt Durchbruch bei 300mm Silicon Carbide \(SiC\)-Technologie
摘要：美国Wolfspeed公司宣布在300mm（12英寸）碳化硅（SiC）技术上取得突破。这一进展标志着碳化硅衬底从目前的150mm/200mm向更大尺寸迈进，将显著提升芯片产量并降低单位成本，强化美国在第三代半导体领域的领先地位。
专家结论：Wolfspeed实现300mm碳化硅技术突破，预示着全球SiC产业将进入大尺寸、低成本竞争阶段。美方在核心材料领域的代际领先将挤压我国现有200mm产线的生存空间，并可能通过技术封锁进一步扩大领先优势。