$江丰电子(SZ300666)$ 据行业测算，单颗HBM芯片的溅射靶材价值量是普通DRAM的3–5倍，江丰作为核心材料商将显著受益，溅射靶材是HBM制造不可或缺的“幕后英雄”，HBM景气度↑ → 存储厂扩产↑ → 靶材需求↑ → 江丰业绩↑简言之：江丰电子虽不直接生产HBM芯片，但它是HBM能否高性能、高良率制造的“基石材料”提供者，是HBM高景气周期中的关键受益标的之一。

根据公开数据，江丰电子在2023–2024年原有靶材年产能约为5–6万个/年， 2027年（全部项目达产后）≈55,000 + 70,000 + 12,300 ≈ 137,300个+150%以上，未来2–3年内，江丰电子溅射靶材总产能有望提升1.5倍至2倍，进入全球靶材供应商第一梯队。公司2024年营收36.05亿元，其中超高纯靶材占比约65%（约23.4亿元）若新增产能全部达产，按当前均价估算，靶材业务年营收有望突破60亿元结合规模效应与成本优化（原材料自供：建设高纯铝、高纯钛、高纯铜等金属提纯产线，降低对外依赖），毛利率与净利润率有望同步提升，江丰电子溅射靶材产能在未来2–3年将实现跨越式增长：
境内新增7万个/年（宁波项目+技改）境外新增1.23万个/年（韩国基地）总产能较2024年提升150%以上，跻身全球前二。这一扩产节奏高度契合全球半导体（尤其是先进制程与HBM）对高端靶材的爆发性需求，为公司长期业绩增长奠定坚实基础。

尽管江丰电子已实现历史性突破，但整体国产化率在高端存储靶材中仍低于10%，距离全面替代仍有较长路径。
未来3–5年是关键窗口期，能否在HBM4、DDR6等下一代技术节点实现同步开发，将决定国产靶材能否真正“上车”主流存储供应链。