未来AI五大细分领域迭代的创新性技术

一、SiC用于CoWoS基板

英伟达可能在新一代Rubin处理器中采用碳化硅（SiC）材料CoWoS基板。单晶SiC因其更高的导热率和有助于缩小封装体积的特性，有望提升芯片散热和整体性能

相关标的:

天岳先进:国内碳化硅衬底材料龙头，专注于导电型和高纯半绝缘型碳化硅衬底。

露笑科技:投资建设碳化硅产业园，布局碳化硅长晶炉、衬底片。

天通股份:布局碳化硅晶体材料生产。

晶盛机电:生产碳化硅长晶炉等设备。

东尼电子：涉足碳化硅衬底材料研发和生产。

天富能源:持股的天科合达是国内领先的垄断囯内市场的导电碳化硅晶片生产商，目前公司在国内市占率超90％是绝对龙头。

二、铌酸锂薄膜（LNOI）、钽酸锂晶体等先进技术的应用，推动AI芯片光互连技术迭代

铌酸锂（LiNbO₃） 和 钽酸锂（LiTaO₃）因其卓越的电光效应（可实现高速光电信号转换）、低传输损耗和高稳定性等特点，在高速光调制器、滤波器等核心光电器件中扮演着不可