$微导纳米(SH688147)$ 大部分人没有意识到微导纳米的原子层沉积（ALD）是未来几年半导体设备里（含存储，逻辑）增量最大的细分，复合增长率远超 物理气相沉积（PVD）化学气相沉积（CVD），特别是- ALD：聚焦28nm及以下先进制程（高k/金属栅、3D NAND、GAA），随制程微缩与3D结构普及，渗透率快速提升，是增速最快的沉积技术之一 ，全球单 ALD：2024年约30-35亿美元（占沉积设备11%-13%），2026年预计50-58亿美元，年复合增速约26%
三季度半导体营收（其中80%是长鑫和长江存储设备）已经达30%，年报预估会破40%，而且调研报告中提到先进封装设备已进入验证中
可转债募投“半导体薄膜沉积设备智能化工厂”2025年底-2026年逐步投产，满产后存储类设备年产能约60-80台（ALD为主，含部分CVD）
2026-2027年半导体订单增长率与金额目标（按激励底线）三年累计底线：增长率≥464%
国际ALD设备（半导体为主）
1. ASM国际（荷兰）：全球ALD第一，市占约28%；逻辑HKMG标杆，7nm/5nm量产，热ALD/PEALD全覆盖，客户含台积电/三星。
2. 东京电子TEL（日本）：存储ALD龙头，市占约25%；3D NAND/DRAM优势明显，逻辑/先进封装布局完整。
3. 应用材料AMAT（美国）：ALD市占约15%；High‑k/金属栅领先，7nm及以下与台积电深度绑定，CVD协同强。
4. 微导纳米：国内市占约5%（全球≈2%）；半导体TiN ALD/高温PECVD量产，存储客户突破，先进封装验证推进泛林Lam（美国）：市占约10%；空间ALD用于先进存储，多腔室并行系统提产能，主攻存储/先进封装。