$北京君正(SZ300223)$ $深科技(SZ000021)$ $好上好(SZ001298)$ 存储芯片产业链全景拆解
1.存储芯片设计（技术壁垒最高）
澜起科技（688008）：全球内存接口芯片龙头，DDR5 RCD 芯片全球市占率 40%-45%，是 JEDEC 标准制定者之一，技术指标国际领先。其 PCIe 5.0 Retimer 芯片已批量供货英伟达、亚马逊等 AI 巨头，2025 年 Q1 净利润同比增长 135%。
聚辰股份（688123）：全球 EEPROM 市占率 6%（国内第二），DDR5 SPD 芯片通过三星、美光认证，2025 年 Q1 净利润同比增长 94.7%，毛利率达 58.3%。
兆易创新（603986）：全球 NOR Flash 市占率 18.5%（国内第一），利基型 DRAM 市占率 1.7%（全球第七），车规级产品通过 AEC-Q100 认证，2025 年 Q1 营收同比增长 14.6%。
北京君正（300223）：通过收购 ISSI 成为车规存储龙头，车规 DRAM 市占率 15%（全球第二），SRAM 市占率 20%（全球第一），产品应用于特斯拉 HW5.0 智驾系统，2025 年 Q1 营收同比增长 28%。
东芯股份（688110）：国内 SLC NAND Flash 龙头，产品覆盖 512Mb-32Gb，通过联发科、中兴微认证，2025 年 Q2 SLC NAND 价格环比上涨 12%。
2.存储芯片制造（资本壁垒最高）
中芯国际（688981）：国内最大晶圆代工厂，28nm 工艺良率超 90%，代工长江存储、长鑫存储的存储控制芯片，2025 年 Q2 资本支出达 50 亿美元，重点扩产先进制程。
华虹公司（688347）：特色工艺领先，130nm 嵌入式闪存技术全球市占率 30%，2025 年 Q2 营收同比增长 18%，车规级 MCU 芯片进入比亚迪供应链。
3.存储芯片封测（先进封装壁垒高）
深科技（000021）：旗下沛顿科技是国内最大存储封测企业，具备 HBM 封装能力，为 SK 海力士、美光提供高端封测服务，2025 年 Q2 净利润同比增长 14.4%。
长电科技（600584）：全球第三大封测厂，4nm Chiplet 封装技术量产，HBM3E 封装良率超 95%，2025 年 Q2 营收同比增长 22%。
4.存储芯片材料（技术壁垒分层）
前驱体：雅克科技（002409）全球市占率 15%，HBM 前驱体通过 SK 海力士认证，2025 年 Q2 营收同比增长 35%。
抛光液：安集科技（688019）全球市占率 12%，3D NAND 抛光液进入长江存储供应链，2025 年 Q2 毛利率达 52.7%。
封装材料：华海诚科（688535）全球市占率 8%，HBM 底部填充胶通过三星认证，2025 年 Q2 营收同比增长 48%。
5.存储芯片设备（国产替代加速）
刻蚀设备：北方华创（002371）14nm 刻蚀机通过中芯国际验证，28nm 刻蚀机国内市占率超 60%，2025 年 Q2 订单同比增长 120%。
薄膜沉积设备：拓荆科技（688072）PECVD 设备国内市占率 70%，ALD 设备进入长江存储供应链，2025 年 Q2 营收同比增长 98%。
检测设备：精测电子（300567）半导体检测设备通过长江存储认证，2025 年 Q2 营收同比增长 55%。
1.内存接口芯片设计（澜起科技）
唯一性：全球仅三家供应商（澜起、Rambus、IDT），澜起是国内唯一厂商，DDR5 RCD 芯片全球市占率 40%-45%，技术指标国际领先。技术壁垒：需参与 JEDEC 标准制定，研发周期长达 5-7 年，客户认证周期 3-4 年，毛利率超 60%。
2.车规级存储芯片设计（北京君正）
唯一性：国内唯一覆盖车规 DRAM、SRAM、NOR Flash 全品类的厂商，车规 DRAM 市占率 15%（全球第二），产品通过 ASIL-D 认证。技术壁垒：需通过 AEC-Q100、IATF16949 等认证，研发周期 3-5 年，供货周期 5-10 年，毛利率超 50%。
3.HBM 封装测试（深科技）
唯一性：国内唯一具备 HBM 封装能力的厂商，为 SK 海力士、美光提供高端封测服务，2025 年 HBM 封装产能占全球 10%。技术壁垒：需掌握 TSV、micro-bumping、堆叠键合等先进工艺，良率提升难度大，设备投资超 10 亿美元。
4.存储芯片材料前驱体（雅克科技）
唯一性：全球仅五家供应商，雅克科技是国内唯一厂商，HBM 前驱体全球市占率 15%，客户包括 SK 海力士、美光。技术壁垒：需通过 SEMI 认证，研发周期 4-6 年，毛利率超 40%。