MLC NAND FLASH——下一个DDR4

昨天听了大摩的最新存储分析，其中提高一个MLC的涨价机会。——三星/美光缩减MLC产能到TLC、QLC，这两家大概占了60%全球产能，旺宏只能补充至多10%，如果出现40%以上的产能缺口，大摩认为NAND 这块价格起码是需要涨五倍的。其中收益首推WW的旺宏电子。

咋一听，何其相似，这个涨价逻辑和DDR4去年的涨价逻辑简直一模一样。

众所周知，DRAM涨价以来，DDR4涨价幅度是远远大于DDR5和HBM的（不认可自己去查价格涨幅，也没必要看本篇了），且涨价幅度为DDR4>>DDR5>HBM。涨价的逻辑是AI HBM需求迫切，消耗大量DDR5晶圆—>DDR5优化保证AI需求，大厂加速退出DDR4制程向先进DDR5制程切换——>DDR4产能缩减速度远远大于应用减少速度，价格暴涨。

如今，在MLC存储中，类似DDR4的涨价逻辑似乎又要重复一遍。AI冷数据存储需求和AI服务