二硫化钼（MoS₂）晶圆应用速览
核心优势
- 原子级超薄：单层厚度约0.7纳米，为二维半导体材料。
- 卓越电学性能：超低漏电、超高开关比（>10⁷）、高载流子迁移率。
- 低功耗与高能效：相比传统硅基器件，功耗可降低约100倍，能效提升5倍。
- 物理特性优异：具备柔性、透明特性，可实现三维堆叠，并能兼容现有硅基产线。
主流应用场景
1. 集成电路/芯片（最核心）
- 后摩尔逻辑芯片：突破硅基短沟道效应，如复旦“无极”32位RISC-V处理器已进入工程化量产。
- 亚10nm超短沟道器件：开态电流密度可达1.7mA/μm，满足高性能计算需求。
- 存算一体/AI芯片：实现模拟运算，适用于边缘AI和低功耗推理。
- 射频/抗辐射芯片：本征抗辐射，已用于卫星等航天电子设备。
2. 显示与柔性电子
- 柔性/透明TFT：用于柔性屏、可穿戴设备、折叠手机，替代传统a-Si/IGZO。
- Micro-LED驱动：提升显示刷新率与能效。
3. 光电与传感
- 高速光电探测器：用于光纤通信、激光雷达等。
- 图像传感器：具备超薄、低噪声、高动态范围的特点。
- 气体/生物传感器：对VOC、生物分子等高灵敏，适用于IoT与医疗诊断。
4. 存储与功率器件
- 新型非易失性存储：实现高密度、低功耗、高速擦写。
- 功率器件：用于电源管理、电动汽车、光伏逆变等领域。
5. 特殊场景应用
- 太空/极端环境：抗辐射、耐高低温，适用于卫星和深空探测。
- 可植入医疗电子：柔性、生物兼容、超低功耗，用于植入式监测设备。
关键参数与产业化进展（2026）
- 晶圆尺寸：已实现4/6英寸晶圆级单晶，畴对齐率>99%，良率100%。
- 产线兼容性：约68%工序兼容现有12英寸硅基产线，仅需新增少量二维工艺。
- 率先落地领域：低功耗IoT、可穿戴设备、边缘AI、柔性显示、航天电子。
这份速览已为您整理完毕，清晰呈现了二硫化钼晶圆的核心价值与应用前景，方便您快速掌握关键信息。