第一部分:近期问董秘迈为的交流(看过可忽略)
1.问:尊敬的董秘,公司的半导体和先进封装这两块业务有什么突破吗?营收占比和未来规划如何?
答:投资者您好,感谢您的关注!在半导体前道设备中,公司重点布局刻蚀设备与薄膜沉积设备两大品类。其中,半导体高选择比刻蚀设备和原子层沉积设备凭借差异化技术创新实现关键突破,目前已进入多家头部晶圆厂和存储厂商,进入量产阶段。在半导体封装设备中,公司在晶圆切割、研磨、抛光、键合等高精度加工环节可提供成套工艺设备解决方案,已与长电科技、通富微电、华天科技、盛合晶微、甬矽电子等国内头部封装企业建立了紧密合作。公司始终以行业顶尖水平为标准,持续探索、致力成为泛半导体领域细分行业标杆。
2.问:迈为股份2025年中报显示,其半导体设备订单同比增长49.69%,境外营收激增143.77%,部分订单与中芯国际临港厂扩产直接相关。中芯国际临港基地新增的10万片/月12英寸产能中,约30%规划用于先进封装,而迈为的设备交付节奏与产能爬坡时间线高度重合。也就是说跟中芯一直在合作了?
答:投资者您好,感谢您的关注!在半导体前道设备中,公司重点布局刻蚀设备与薄膜沉积设备两大品类。其中,半导体高选择比刻蚀设备和原子层沉积设备凭借差异化技术创新实现关键突破,目前已进入多家头部晶圆厂和存储厂商,进入量产阶段。
3.问:董秘好,请问贵公司的半导体设备进入中芯国际、华虹、寒武纪等大厂了没?
答:投资者您好,感谢您的关注!在半导体前道设备中,公司重点布局刻蚀设备与薄膜沉积设备两大品类。其中,半导体高选择比刻蚀设备和原子层沉积设备凭借差异化技术创新实现关键突破,目前已进入多家头部晶圆厂和存储厂商,进入量产阶段。
4.问:公司在7月回复投资者时明确表示,其自主研发的全自动晶圆级混合键合设备已正式交付国内客户,设备精度达0.1µm,支持高密度互联封装。结合行业分析,中芯国际上海临港厂的28nmFD-SOI产线是国内最可能适配该设备的场景。东吴证券2025年8月的报告也指出,迈为的混合键合设备参数与中芯国际28nm工艺需求高度匹配,且验证时间窗口(2025年Q2),是不是说明跟中芯合作了?
答:投资者您好,感谢您的关注!公司已布局半导体键合加工设备,涵盖混合键合、热压键合、临时键合和激光解键合等关键设备,旨在服务先进封装、化合物半导体和新型显示(终端为AR眼镜、车载应用)等领域。公司多台套键合设备已发往客户验证。请参考公司公开披露信息,谢谢。
5.问:请问董秘:贵公司位于珠海的“迈为半导体装备项目”和苏州吴江的“迈为泛半导体装备项目”进展如何了?
答:投资者您好,感谢您的关注!公司珠海的“迈为半导体装备项目”二期建设正有条不紊的进行中、苏州吴江的“迈为泛半导体装备项目”尚在规划设计中。
6.问:你好,请问公司为什么会有75亿元如此高价值的存货呢?这75亿元的存货指的是未交付的成品吗?或者还是包括原材料?
答:投资者您好,感谢您的关注!公司存货主要为原材料、产成品及发出商品。其中发出商品占比较高,发出商品系公司已发货但尚未确认收入的部分,公司根据所签订销售合同的具体约定内容执行交付,并于交付验收后确认相关收入。感谢您的关注。
第二部分:迈为股份的半导体设备分析
1.半导体业务布局
主要产品:覆盖前道设备(刻蚀、沉积)和后道设备(切磨抛、键合)。
发展历程:
2019年:从激光业务开始,进入面板和封装设备领域。
2022年:开始组建团队,研发前道设备。
2023年:研发出产品。
2024年:产品送达客户处进行验证。
3.前道设备
蚀刻设备:主打高选择比刻蚀设备,包括SiO和Poly刻蚀。公司声称其“差异化技术创新”在此领域实现了关键突破。
沉积设备:在薄膜沉积领域,迈为同样选择了技术前沿的原子层沉积(ALD)。ALD技术因其埃米级的薄膜厚度控制精度和优异的保形性,成为先进制程中不可或缺的设备。
4.后道设备
混合键和:公司不仅提供核心的键合设备,更致力于提供覆盖多个环节的“成套工艺设备解决方案”自主研发的全自动晶圆级混合键合设备已正式交付国内客户,设备精度达0.1µm,支持高密度互联封装。
第三部分:技术重要性
现在半导体的核心无非就是存储,不管是美光及其他公司的持续涨价,还是两存的上市扩产预期。存储相关,尤其是高端存储相关的半导体设备现在可以说是市场最关注的部分。而迈为的这三个路线,其实都是存储最相关也是最需要的设备路线。
1. 为什么“高选择比刻蚀”很重要?
想象一下,高端存储芯片就像一块有几百层的提拉米苏蛋糕,由一层“奶油”和一层“饼干”交替叠成。现在,为了让它能存储数据,我们必须用一根吸管从顶层垂直插到底,形成一个完美的通道。高选择比刻蚀就像一把施了魔法的“神仙勺子”,它只吃“奶油”(一种材料),但完全不碰“饼干”(另一种材料)。这样,它就能挖出一个又深又直的完美通道,而不会让周围的“饼干”层有任何塌陷或损坏。没有这把“神仙勺子”,在建造这种上百层的复杂结构时,整个“蛋糕”很容易在打孔时就散架报废了。
2. 为什么“ALD沉积”很重要?
接上个例子,在我们用“神仙勺子”挖好了那个完美的通道后,需要在通道的内壁上涂上一层极其均匀的功能性“果酱”,这层“果酱”是芯片工作的关键。ALD沉积就像一种神奇的“喷雾”,它能自动钻进那个又深又窄的通道里,给墙壁附上薄薄的一层分子,不多也不少,保证从上到下每个角落的“果酱”厚度都完全一样。如果用普通的喷枪,肯定是洞口很厚、洞底很薄。只有ALD这种能实现原子级精准“涂抹”的技术,才能保证在芯片复杂的3D结构内部,功能层能够完美地发挥作用。
3. 为什么“混合键合”很重要?
想象一下,一个顶级的高端存储芯片(比如HBM)其实是一个“立体建筑”,由楼下的“大脑”芯片和楼上堆叠的多层“记忆”芯片组成。为了让它们能极速沟通,需要在楼层间建立成千上万个内部“楼梯”。混合键合是一种革命性的建筑工艺,它抛弃了过去那种又大又占地方的“预制楼梯”(传统焊点),而是直接将楼上的地板和楼下的天花板打磨到原子级光滑,然后像分子魔法一样,让它们完美地融合在一起,内部预埋的无数电线也瞬间连通。这种技术可以让“楼梯”的数量增加几十上百倍,使得“大脑”和“记忆”之间的信息传递毫无延迟,这是实现超高带宽内存的关键。
第四部分:同业对比分析
拓荆科技、中微公司、北方华创显然是市场投票出来的优秀选手,其估值也很好的说明了市场对于存储相关的半导体设备的看好。所以我觉得拿迈为跟拓荆以及中微比具有一定的参考价值。
1.对比拓荆科技
前道设备业务对比(刻蚀与薄膜沉积):在前道设备领域,拓荆科技是成熟的纵向深化者,而迈为股份是迅猛的横向扩张者。拓荆科技作为国内薄膜沉积设备的绝对龙头,拥有几乎完整的薄膜产品矩阵,并已深度绑定国内核心晶圆厂。迈为股份则采取“刻蚀+薄膜沉积”双线并进的策略,其差异化的高选择比刻蚀设备和原子层沉积(ALD)设备均已进入头部厂商的量产阶段。核心区别在于拓荆科技在薄膜沉积领域“做深做透”,而迈为股份在前道布局更广。
先进封装业务对比:在先进封装领域,双方都视混合键合为关键赛道,但迈为股份的布局更为全面。拓荆科技聚焦于核心的混合键合及配套量检测设备。相比之下,迈为股份致力于提供“成套工艺设备解决方案”,产品线不仅包括多种键合设备,还向上游延伸覆盖了晶圆切割、研磨、抛光等环节。
2.对比中微公司
前道设备业务对比(刻蚀与薄膜沉积):在前道设备领域,中微公司是技术全面且地位稳固的“行业冠军”,而迈为股份是采取差异化精准打击的“新锐挑战者”。中微公司的核心优势在于其完整的刻蚀产品矩阵,已成功应用于国际顶尖晶圆代工厂的5纳米先进制程产线。相比之下,迈为股份作为新进入者,其策略是双线并进,聚焦于高选择比刻蚀设备和原子层沉积(ALD)这两个高端细分市场。
先进封装业务对比:在先进封装领域,迈为股份是目标明确的“方案提供商”,而中微公司的参与则更多是其前道技术的自然延伸。迈为股份已将先进封装设备作为一个核心业务板块,提供覆盖切割、研磨、抛光到键合的“成套工艺设备解决方案”。相比之下,中微公司对先进封装的贡献主要体现在其核心的刻蚀技术可用于TSV等关键封装工艺,属于其刻蚀设备的应用范畴,而非专门的封装设备产品线。
第四部分:催化剂风险提示
1. 公司是否进入两存是一个很关键,甚至可以说是最关键的考量点。目前通过公司的公开渠道只知道公司进入了头部存储厂商并进入量产阶段。后续需关注公司的披露。
2. 公司的设备的竞争力能否跟拓荆以及中微这些行业前辈相比,尤其是在接下来两年可能存在的capex扩大的情况下能否吃上这口做大的蛋糕。
3. 存储的周期持续景气也是很关键的假设,目前看来难以证伪。
4. 光伏反内卷以及银价持续关注,可能会成为公司本业反转的催化剂。
总结就是迈为的设备路线选择完美的契合了当下高级存储单元的需求,但是公司的技术优越性以及产能都是需要考量的因素。但无论如何,基于公司当下的估值来看,都可以说的上是最便宜的存储相关的半导体设备了。当然便宜也有便宜的原因,市场从来不傻也不瞎。只能说胜率很高,但是空间需要进一步跟踪公司的信息披露。