国产封测龙头通富微电基本情况
一、公司简介
通富微电是营收全球第四/全国第二的集成电路封测龙头企业，产品品类丰富、 技术平台成熟、与AMD合作关系稳固。公司提供涵盖设计仿真、晶圆中测、封装、 成品测试以及系统级测试在内的一站式服务：应用场景涵盖人工智能、高性能计算、 大数据存储、显示驱动、5G通讯、消费电子、物联网、汽车电子与工业控制等多种 领域；封装能力体系完备，覆盖框架类（SOT、SOP、QFN、DFN、LQFP、TO、IPM 等）、基板类（WBBGA、WBLGA、FCBGA、FCCSP、FCLGA等）、晶圆级（Fan-in WLCSP、Fan-out WLCSP、Cu pillar bump、Solder bump、Gold bump 等）以及系统 级（COG、COF、SiP）多种封装类型。
公司高端先进封装已成熟，持续推动扇出型、 晶圆级、倒装焊等工艺的量产和扩产，并积极布局 Chiplet、2D+等先进封装平台。
客户方面，公司与AMD以“合资+合作”模式深度绑定，依托7nm、5nm、FCBGA 与Chiplet 等先进工艺能力，承接其80%以上订单，是 AMD最核心的封测供应商。
AMD业务的强劲增长为通富营收规模快速扩张提供坚实支撑，依托大客户业务带来的技术积累与运营能力提升，通富微电也在积极拓展多元化客户 布局。通富苏州和通富槟城在积极扩张产能的同时，不断拓展新客户资源，已导入多家新客户。公司在中国大陆的业务也已实现大幅扩张，2020年公司营收107.69亿 元，其中来自中国大陆营收份额19.8%，约21.3亿元。到2024年，来自中国大陆的 营收份额提升到34%，达到81.17亿元，营收大约翻3.8倍，占比份额提升14.2pct。
从应用终端来看，通富微电多元化业务拓展顺利，据2024年报，公司在手机芯片、射频、手机周边、消费电子、汽车电子、存储、显示驱动芯片等多个领域实现份额增长，其客户资源早已覆盖国际巨头企业以及各个细分领域龙头企业，大多数 世界前 20 强半导体企业和绝大多数国内知名集成电路设计公司都已成为公司客户。此外，公司立足市场最新技术前沿，调整产品布局，积极推动Chiplet市场化应用。
公司预计2025年度实现归母净利润11.0-13.5亿元，预计同比增长62.34%-99.24%；扣非归母净利润7.7-9.7亿元，预计同比增长 23.98%-56.18%，主要系 2025 年内，全球半导体行业呈现结构性增长，公司积极进取，产能利用率提升，营收增幅上升，特别是中高端产品营业收入明显增加。同时，得益于加强经营管理及成本费用的管 控，公司整体效益显着提升。此外，公司准确把握产业发展趋势，围绕供应链及上下游布局产业投资，取得了较好的投资收益，增厚了公司2025年业绩。
二、通富 and AMD:
通富微电与AMD的战略合作从2015年至今可主要分三个阶段。
阶段一（2015-2016）：封测子公司成立，建立全面战略合作伙伴关系。2015年，通富微电宣布收购AMD苏州与槟城各85%股权，获得CPU、GPU、APU及游戏主机等先进封装平台，封装形态覆盖FCBGA、FCPGA、FCLGA、MCM 等。2016年引入国家大基金投资并完成交割，双方形成“合资+合作”模式。
阶段二（2017-2022）：合作顺利推进，成果不断落地。公司在苏州、槟城工厂打造高端CPU、GPU量产平台，融合AMD的先进封装能力与自身OSAT运营经验，拓展海外产能布局，吸引高端客户导入；2019年，与AMD合作渐入佳境，双方合作期限从3年延长至5年，并增加Bumping、晶圆测试、减薄等环节合作，为AMD 提供一站式服务；2019年Q4率先量产AMD全系列7nm产品，并在2.5D封装、Chiplet、 Fan-out 等技术上取得突破；2021年7nm产品占比通富超威苏州、通富超威槟城总营收80%。这一时期通富持续受益于AMD在EPYC处理器和GPU数据中心业务快速增长。
阶段三（2022年至今）：周期调整后的新起点。2020-2021年宅经济与数据中心需求推动服务器、云计算、PC及游戏机市场高景气，至2022年下半年终端需求回落，库存去化进入深度调整。2023年行业触底，2024Q4库存水位趋稳，AI芯片以及AI PC等带来新一轮高端封装需求增长。公司不断扩建先进封装产线，有望在新一轮上行周期中实现高端产品的突破放量。
如图所示，AMD在2016年后进入高速发展期，通富微电受益于大客户订单。随2016年通富微电与AMD收并购完成， 通富将槟城、苏州的业务并表，双方业绩走势开始高度重合。2016-2024年期间，据芯思想研究院统计，通富在全球OSAT厂的营收排名从2016年的全球第八稳步提升到2024年全球第四，仅次于日月光、安靠与长电科技。
双方从最初的股权并购到建立战略伙伴关系，再到延长合作期限、续签制造服务协议（2021年4月11日业绩说明会披露双方有效期至2026年）， 通富微电稳定获得AMD超八成外包份额，合作关系不断深化。AMD在2022年完成收购赛灵思后形成CPU+GPU+FPGA全覆盖，这也为公司拓展封测产品组合和服务边界提供了新机遇。
公司依托苏州与槟城两大核心工厂，持续承接AMD高端处理器、显卡及服务器芯片封测，完成从7nm到5nm的技术迭代，2019年就已经实现7nm产品量产，2021年先进封装产品份额已超过七成，并在国内率先构建最完善的Chiplet解决方案，并不断向5nm/4nm/3nm拓展新品。随着AI与高算力需求上升，公司持续扩产大尺寸多芯片封装产线，与AMD产品路线高度契合。据证券之星2024年2月消息，公司涉及AMD Instinct MI300芯片以及AI PC芯片的封测项目。
三、Chiplet与先进封装行业分析
什么是 Chiplet？——“分”的艺术
传统上，我们做一个复杂的芯片（比如手机处理器），是把所有功能都塞进一个巨大的单芯片里（这叫SoC，系统级芯片）。这就像用一个巨大的模具，一次性浇铸出一个极其复杂的乐高模型。问题是：只要模具（晶圆）上有一个微小瑕疵，整个模型就报废了，成本极高。
Chiplet的思路是反过来的：“既然做大又难又贵，那我就把它拆小。” 它将一个复杂的系统，分解成多个功能独立、相对简单的“小芯片”。比如，把计算核心、输入输出接口、存储控制器分别做成不同的小芯片。
这样做的好处非常直接：
1）良率更高：小芯片面积小，生产时遇到缺陷的概率就低，整体良率可以提升30%以上 。
2）成本更低：可以为不同的功能选择最合适的工艺。例如，计算核心用最先进的5nm工艺保证性能，而输入输出接口则用成熟的28nm工艺控制成本，最后把它们封装在一起 。
3）设计更灵活：可以像搭积木一样，通过组合不同的小芯片，快速定制出满足不同需求的产品 。
什么是先进封装？——“合”的魔法
既然芯片被拆开了，最终还得把它们“合”成一个完整的产品。这个“合”的过程，就是先进封装登场的地方。它不是简单的“打包”，而是要实现芯片间的高速、高密度、低功耗互联。
先进封装就像一个精密的“立体交通网络”，它通过一系列尖端技术，把一个个独立的Chiplet小芯片在微观世界里连接起来：
先进封装关键技术功能解析（类比）Chiplet为什么需要它？凸点 (Bump)芯片的“引脚”，负责芯片与外部连接。在先进封装中，这些凸点可以做到像头发丝直径的千分之一那么细 。只有足够小、足够密的凸点，才能在有限的芯片面积上，为成百上千个Chiplet之间的数据交换提供通道。重布线层 (RDL)为芯片信号“重新规划路径”的布线层。它能将芯片原本密集的接口，通过RDL分散开来，方便与其他芯片连接 。当不同工艺的Chiplet需要对接时，它们的接口位置可能对不上。RDL就像一个灵活的转接板，负责把信号精准地引到该去的地方。硅通孔 (TSV)垂直贯穿芯片的“电梯”，让信号可以直接从一层芯片穿到另一层，无需绕行，极大地缩短了通信距离 。这是实现3D Chiplet堆叠的核心技术。比如，将内存Chiplet直接堆叠在计算Chiplet之上，两者通过TSV连接，通信带宽极高、延迟极低。中介层 (Interposer)一个位于Chiplet和封装基板之间的“高速桥”。它是一个高密度的互联平台，可以看作是RDL和TSV的综合体，负责承载和连接多个Chiplet 。在2.5D封装中，多个Chiplet并排放在一个硅中介层上，通过中介层内部的超级高速公路（极精细的线路）进行通信，比传统的电路板连接快得多。
通过这张表可以看到，正是这些先进封装技术的突破，才让Chiplet“分而后合”的设想得以实现，让被拆开的小芯片能重新“无缝”地协同工作。
产业进展与行业空间：
算力芯片由于性能和带宽需求极高，普遍呈现出大尺寸、高晶体管密度的特征， Chiplet已成为关键解决方案。以主流算力芯片为例，英伟达A100/H100的芯片尺寸 （die size）达到 826/814 mm2，谷歌 TPU从v4 到v6e，芯片尺寸也维持在700-800 mm2 之间；相比之下，消费电子芯片尺寸要小得多，比如苹果A18与M4芯片，尺寸仅 为92.43/169.35 mm2。主流算力芯片的尺寸之所以长期维持在800 mm2左右，主要是 受限于光掩膜版尺寸的物理极限，即掩膜版单次最大曝光区面积约 858 mm2。再此 背景下，Chiplet成为是进一步扩展芯片尺寸的关键方案，比如英伟达B200，通过两个B100 die 封装互联，实现总面积约1600 mm2。另一方面，Chiplet不仅是“做大” 的手段，其核心价值还体现在提升性价比与可行性：将算力芯片中的计算核心、I/O 裸片以及缓存拆分为多个小芯片，再通过封装端集成，显著改善良率、降低设计复杂性、缩短开发周期并降低总成本，AMD MI系列芯片正是这一思路典型代表。
从封装工艺上，Chiplet 实际落脚到MCM、2.5D/3D 封装。多Die 合封的技术 已经发展多年，要将多颗芯片高效地整合起来，必须采用先进封装工艺，不同制程的die 合封体现的是异构集成的概念，而对于增大的芯片尺寸、更复杂的整体架构， 封装结构则由原先的二维发展至三维。据《Chiplet关键技术与挑战》，按和封装工艺划分，Chiplet 的实现方式主要包括 MCM、2.5D 封装、3D 封装。三者相比起来， MCM集成密度最低，2.5D/3D 封装的集成密度较高，相对高端的方案中都已采用 2.5D/3D 封装。
Yole 预测2025年全球先进封装市场份额达到476亿美元。其中FC封装206亿美元，2.5D/3D封装145亿美元，SiP封装82亿美元，WLCSP为21亿美元，FO封 装19亿美元。FC、2.5D/3D和SiP在先进封装中的份额分别达到43.3%、30.5%以及 17.2%，累计超过九成。2.5D/3D、WLCSP 和 FO 等高性能的先进封装市场达到185 亿美元。
从增速来看，AI浪潮下2.5D/3D 封装市场规模提升最快，预期 2025-2029 年CAGR达到17.5%，同期FC为7.5%，SiP为3.2%，WLCSP为2.3%，FO为3.7%。
竞争格局：
长电科技、通富微电、华天科技等国内封测企业凭借Chiplet、TSV等核心技术突破，逐步跻身全球第一梯队。例如，长电科技的XDFOI Chiplet高密度互连技术升级至第三代，支持多芯片异构集成；通富微电为AMD提供的MI350、MI355等AI加速器3D封装服务，全球市场份额占比超80%。
2025年国内先进封装市场规模突破300亿元，同比增长38%，其中高端先进封装市场增速超50%。国产企业在全球高性能计算芯片封测市场占据70%以上的订单份额，形成与国际巨头分庭抗礼的竞争格局。
AMD是高端先进封装的引领者。
自2015年以来，AMD持续推动先进封装在高性能计算中的应用，逐步建立起从2.5D到3.5D的技术演进路径。2015年，AMD率先在图形处理器中采用 2.5D高带宽内存（HBM）封装，通过硅中介层（Interposer） 将GPU与HBM紧密集成，实现了显著的带宽提升和能效优化。2017年，公司进一 步推动多芯片模块（MCM, Multi-Chip Module） 技术的落地，将多个逻辑芯片封装 于单一载体之上，为后续Chiplet架构积累经验。2019年，AMD实现Chiplet技术 量产化，在Ryzen和EPYC处理器中采用Chiplet，将 CPU核心与I/O模块分离，大 幅降低了大规模SoC 设计的良率风险和制造成本，成为业界标志性突破。2021 年，公司又在Chiplet技术上持续迭代，发布 3D Chiplets 与 2.5D EFB（Embedded Fan-out Bridge） 技术，通过垂直堆叠与嵌入式扇出互连，进一步提升系统级性能密度。2022年，AMD成功导入 2.5D WLFO（Wafer Level Fan-Out） 技术，增强了在大规模异 构集成中的工艺灵活性。2023年，公司更进一步推出 3.5D Chiplet集成技术，在2.5D 和3D架构的结合中实现更高带宽、更高集成度的系统封装。
AMD Instinct MI300 是模块化Chiplet封装的典型代表。Instinct MI300的核心 由三类芯粒组成：加速核心裸片（XCD，6×38个AMD CDNA核心）提供强大并行 算力，I/O裸片（IOD）集成256MB Infinity Cache并内建Infinity Fabric 片上网络以 支撑高效互联，CPU核心裸片（CCD，3×8“Zen 4”核心）则提供通用计算能力。 在封装工艺上，MI300采用3.5D架构，结合3D混合键合实现逻辑芯片的垂直堆叠， 并通过2.5D硅中介层连接不同芯粒与外部内存，从而实现高带宽、低延迟的数据交 互；同时深度绑定HBM3存储，其中MI300A配置8堆叠、容量128GB，MI300X 则扩展至12堆叠、容量192GB。MI300在算力密度与能效表现上达到业界领先水平。 除了Instinct 系列之外，AMD 的其他产品线如 Ryzen、Threadripper、EPYC 等也都 基于Chiplet 封装工艺不断发展迭代。
据公司业绩交流会披露，通富微电作为AMD的最大封测供应商，参与了MI300等芯片的封测。AMD的MI350系列也将在2025年量产工艺，据AMD CEO苏姿丰 在财报会上明确表示：“MI350产能爬坡皆依赖封测伙伴的协同，我们已经锁定关键 供应商。”通富微电或将在AMD高端GPU芯片封测中进一步发挥关键性作用。
四、公司看点
1、深度绑定AMD，Chiplet与先进封装的全方位布局：
上面解释了Chiplet与先进封装的关系，现在再来看通富微电，就非常清晰了。
它的技术亮点恰恰体现在对Chiplet封装能力的全方位布局上：
1）率先量产，技术领先：通富微电不是停留在概念上，而是已经具备7nm、5nm Chiplet先进封装技术的规模量产能力 。这说明它已经成功攻克了上述那些复杂的先进封装工艺，并能稳定地交付产品。
2）深度绑定大客户，卡位高端市场：它是AMD最核心的封测供应商，承接了AMD 80%以上的订单 。AMD的锐龙、EPYC（霄龙）处理器以及AI芯片MI系列，都是Chiplet架构的典型代表 。通富微电深度参与了这些顶级芯片的封装，证明其技术实力得到了国际巨头的认可。
3）全面技术布局，形成差异化优势：公司布局了包括多芯片组件、集成扇出封装、2.5D/3D等在内的全方位先进封装技术，可以为客户提供多样化的Chiplet封装解决方案 。这意味着它能根据不同的客户需求，灵活组合运用我们上面提到的TSV、RDL、Interposer等技术，提供一站式服务。
在先进封装领域，通富微电已搭建成熟技术平台，不断追求领先工艺。公司成熟的技术平台覆盖高端先进封装、大尺寸FCBGA、存储等方面。
①公司搭建VISionS先进封装技术平台聚焦于高密度、高性能、异构集成需求， 涵盖扇出型封装（Fan-out）、系统级封装（SiP）、 MCM-Chiplet、2.5D、3D等工艺。
②公司已建成超大尺寸FCBGA研发平台，完成高层数再布线（RDL）技术开发， 可为客户提供晶圆级与基板级的Chiplet封测一体化解决方案。
③存储器方面，公司实现多层堆叠NAND Flash与LPDDR的稳定量产，并在国 内率先完成基于TSV技术的3DS DRAM封装开发。据日经新闻2025年1月26日 报道，通富已宣布为客户试生产HBM2芯片。
7nm 及更先进制程的芯片封测经验丰富；先进封装相关收入占比已超过 70%。 2019 年Q4，通富微电已量产AMD 7nm产品；2021年其7nm产品占比通富超威苏 州、通富超威槟城总营收80%，并同年提出“立足7nm、进阶5nm”的战略路径； 2022 年通富进一步明确，会持续推进5nm、4nm与3nm产品研发，以全力支持国际 大客户的高端工艺演进。据公司在2022年4月11日的业绩说明会，公司先进封装 已大规模产业化，先进封装收入占比已经超过70%。
通富微电目前拥有七大生产基地，包括总部崇川工厂、马来西亚通富超威槟城、 通富超威苏州、南通通富、合肥通富、通科通富和厦门通富。
崇川本部：布局多元化封装平台，涵盖高电压及功率类封装（SOT、SOP、QFN、 LQFP、TO、IPM等）等高端产品，并配套Bumping、WLCSP与金凸点工艺，广泛 应用于车载品等终端。
通富超威槟城（AMD合资）：积极布局高端先进封装，涵盖FCBGA、FCLGA、 FCPGA及Coreless BGA 等，并具备WLCSP能力，主要承接AMD的CPU/GPU/NPU 等高算力产品的封测订单。
通富超威苏州（AMD 合资）： 与槟城工厂功能相辅，聚焦测试以及 FCBGA、 FCLGA、FCPGA等高端封装，核心客户同样是AMD。
南通通富：公司高性能计算与先进封装的重要基地，产品覆盖WBBGA、FCBGA、 FCCSP 等，具备Fan-in/out WLCSP 和2.5D/3D FOP 能力，并延伸至SiP/POP等系统 级封装，服务手机、通讯及高算力应用。
合肥通富：专注于中小尺寸高电压封装，产品包括 SOT23、MSOP、miniQFN 及存储器DRAM等，配套COG/COF工艺，主要服务于存储芯片和显示驱动领域。
通富通科：定位功率与存储器件，主要产品包括 Memory、QFN/LQFP、 PDFN/TO252/TO247 等电源模块。
厦门通富：定位于晶圆级与显示封装，重点布局金凸点、WLCSP、COG/COF 等技术。
其中，通富超威槟城已布局高端先进封装工艺，与海外大客户合作有望不断加深。
1）凸点与背面金属化（BSM）：先进的晶圆级封装工艺（WLP），使用铜柱 形成集成电路（IC）与主板（或引线框架）之间的互连，可充分满足全球消费市场 对便携式电子产品日益增长的需求。
2）一站式测试服务：①晶圆筛选，通过芯片探针在晶圆阶段进行电性测试， 识别功能异常、提升良率并降低制造成本；②系统级测试，评估整个系统的性能、 功能与集成性，确保真实环境中的稳定性；③成品测试，验证产品在正常及关键条 件下的基本功能与高级特性；④后端处理：全面检查、贴标和包装，确保设备运输无损。一站式测试服务确保了产品在各阶段的高性能与可靠性。
3）FOED先进封装平台：涵盖微凸点（uBump）、扇出嵌入式芯片（Fan Out Embedded Die Interposer，FOED）、 Fan Out Package on Substrate (FOPoS)三大技术， 满足5G、人工智能推理、工业及汽车等高要求应用场景的需求，相比2.5D TSV中 介层封装具有成本优势。
2025H1通富微电在大尺寸FCBGA、CPO等关键技术领域进一步取得重要进展。 大尺寸FCBGA已开发进入量产阶段，超大尺寸FCBGA已预研完成并进入正式工程 考核阶段；同时，公司通过产品结构设计优化、材料选型及工艺优化，解决了超大尺寸下的产品翘曲问题、产品散热问题。此外，公司在光电合封（CPO）领域的技 术研发取得突破性进展，相关产品已通过初步可靠性测试。南通通富2D+先进封装 技术升级和产能提升项目的机电安装工程顺利通过消防备案，公司其他重大项目建 设持续稳步推进，为公司长期高质量发展注入强劲动力。
AMD在CPU业务方面的增长具有一定确定性，包括服务器CPU 以及端侧CPU，AMD有望凭借性能、价格、生态等方面的优势 ，实现EYPC与Ryzen 处理器的大批量出货，并进一步提高市场份额。通富微电作为AMD封测端的战略合作伙伴，有望深度受益。
2025年10月，AMD和OpenAI宣布建立部署6吉瓦AMD图形处 理器(GPU)的战略伙伴关系，双方达成四年协议，AMD将分批为OpenAI供应数十 万个AI芯片，首批芯片将在2026年下半年出货，或主要是AMD Instinct MI450。 AMD预计此交易可使公司年营收增加数百亿美元。同时OpenAI将获得AMD认股权证，允许其以每股1美分的价格收购AMD最多10%的股份。
2026年2月，Meta同意从AMD购买价值6干兆瓦的AI算力，这笔交易价值预计超过1000亿美元。并且，AMD已同意授予Meta股权激励，允许其以每股0.01美元的价格购买最多1.6亿股AMD股票（约占公司股份的10%），全额股票奖励以AMD股价上涨为条件。只有当AMD股价达到600美元时，Meta才能获得最后一批股票。
2、国产芯片扩产核心受益方：
2024年《政府工作报告》明确提出，适度超前建设数字基础设施，加快形成全 国一体化算力体系。《2025年中国人工智能计算力发展评估报告》指出，中国智能算力发展增速高于预期，2024年，中国通用算力规模达71.5EFLOPS（EFLOPS指每秒 百亿亿次浮点运算次数），同比增长20.6%；智能算力规模达725.3EFLOPS，同比增 长74.1%。预计 2025 年，中国通用算力规模预计达85.8EFLOPS，同比增长20%； 智能算力规模将达1037.3EFLOPS，同比增长43%，远高于通用算力增幅。总体来看， 2023—2028 年中国智能算力规模和通用算力规模的五年年复合增长率预计分别达 46.2%和 18.8%。
国内云服务厂商资本开支呈现快速增长态势，尤其在AI算力领域投入力度显著加大。阿里巴巴、字节跳动等头部厂商资本开支增速领先，腾讯、百度等厂商也在持续加码AI基础设施建设。2025Q2，阿里的资本开支约386.8 亿元/yoy+219.8%，腾讯资本开支约191.1亿元/yoy+119.1%，延续了2025Q1 AI基础设施建设的强劲势头。在海外AI飞轮效应的示范下，本土云服务厂商或将进一步增加资本开支。三大运营商作为云服务市场的重要参与者，也在加大算力投资以支持数字化转型。
本土AI算力芯片蓬勃发展，自主可控趋势下产业链迎来发展窗口。
国内如华为昇腾910B/910C 为代表的产品在算力性能上已显著超过英伟达H20，除华为昇腾910B/910C外，寒武纪、摩尔线程、沐曦股份、壁仞科技等企业持续推出迭代产品。例如，摩尔线程发布新一代GPU架构花港，算力密度提升50%，能效提升10倍；沐曦股份围绕人工智能计算、通用计算和图形渲染三大领域，初步构建起三大GPU硬件产品线矩阵。
在互联技术与生态建设领域，国产厂商同步取得突破：摩尔线程基于纯自研MUSA架构开发生态系统，并通过MTLink技术实现高速互联；华为则推出CloudMatrix384 超节点集群方案支持Scale-up 扩展，均显示国产芯片在技术层面已具备自主可控能力。
在中美科技博弈的长期趋势下，中国 AI 产业构建“技 术-安全-生态”三位一体的自主可控体系，有望推动行业更稳定、健康地发展。国产替代进展提速下，产业发展进入窗口期，国产高端先进封装迎来发展机会。
2026年是国产AI芯片训练落地元年，国产芯片从此前主要聚焦推理侧，实现向训练侧的全技术栈跨越。国产芯片在训练场景的落地，经历了从单卡性能提升到集群协同能力优化的转变。技术层面，华为昇腾、寒武纪等厂商通过分布式并行技术、自研软件生态建设，提升了芯片在万卡级集群中的算力利用率（MFU），解决了训练任务对通信能力、稳定性等要求。应用层面，一批基于国产芯片训练的AI大模型密集落地，如智谱联合华为开源的GLM-Image图像生成模型、摩尔线程训练的具身大脑模型RoboBrain 2.5等，验证了国产算力在复杂多模态任务中的实战能力，打破了此前国产芯片在训练侧的局限。
国产大模型的蓬勃发展将为芯片提供丰富的应用场景和需求牵引，国产芯片的扩产将带动上下游产业链的发展。通富微电作为国产封测龙头，受益于国产芯片的扩产需求，为国产AI芯片提供先进封装服务，包括Chiplet、2.5D/3D封装等技术，提升国产芯片的性能和可靠性。
三、拟定增募资不超过44亿元，强化存储、汽车、晶圆级、高性能计算及通信等领域封测：
2026年1月9日，公司公告2026年度向特定对象发行A股股票预案，拟定增募资不超过44亿元，扣除发行费用后将全部用于五大方向：
1）存储芯片封测产能提升项目（拟投8亿元），项目建成后年新增存储芯片封测产能84.96万片；
2）汽车等新兴应用领域封测产能提升项目（拟投10.55亿元），项目建成后年新 增汽车等新兴应用领域封测产能50,400万块；
3）晶圆级封测产能提升项目（拟投6.95亿元），预计新增晶圆级封测产能31.20万片，同时亦提升该厂区高可靠性车载品封测产能15.732亿块；
4）高性能计算及通信领域封测产能提升项目（拟投6.2亿元），项目建成后年新增相关封测产能合计48,000万块；5）补充流动资金及偿还银行贷款 （拟投12.3亿元）。
本次公司定增募资，主要投向下游高景气度、国产替代加速、技术密集的增长领域，提升现有产能规模与供给弹性， 以更好地承接下游市场复苏及结构性增长机遇，为国内外龙头客户提供更稳健的本土化封测支撑，并为承接新兴优质客户奠定产能基础，巩固公司在全球封测产业的领先地位。