【中信通信】薄膜铌酸锂：单波400G必选项，受益3.2T+CPO，关注安孚+天通！
为什么薄膜铌酸锂是单波400G的必选项？
目前，单波400G在硅光路径上已触及物理天花板。薄膜铌酸锂（TFLN），凭借超高电光系数与实测110GHz+带宽（实验室已达260Gbaud），成为实现单波400G唯一具备工程可行性的“性能引擎”。“硅光+薄膜铌酸锂”异质集成方案是3.2T光模块必选项！实现“硅光控成本、铌酸锂提性能”的效果。
预计CPO和OIO场景，薄膜铌酸锂也会大量使用。此外，中国薄膜铌酸锂产业链很完整（磷化铟产业主要在美日），中国厂商天生优势显著。
怎么实现“硅光+薄膜铌酸锂”异质集成？
将薄膜铌酸锂切片后，采用Die to Wafer（或Wafer to Wafer）工艺，通过异质集成技术键合至制备完成的SOI晶圆上，实现晶圆级异质集成高速调制器芯片的量产。过程涉及键合、光刻、刻蚀等，最后组成硅光和