再来深化一下大家对芯片这块确定性的认识,所以再啰嗦一遍
$中微公司(SH688012)$ $彤程新材(SH603650)$ $南大光电(SZ300346)$
芯片周期正式进入“资本开支驱动”的爆发期,存储芯片投资逻辑需从下游模组的“库存差价”转向核心上游的“产能军备竞赛”。
站在2026年1月的节点回望,过去两年我们经历了一场惊心动魄的复苏。从2023年的至暗时刻,到2024-2025年的AI结构性牛市,半导体行业已经完成了**“去库存—价格修复—盈利改善”**的前半场。
现在,市场都在为佰维存储、江波龙等模组厂商的业绩狂欢。但作为理性投资者,我们必须在喧嚣中保持清醒:周期钟摆已经越过了“复苏”,正狠狠砸向“繁荣”与“短缺”的交界处。
在这个阶段,我鲜明地提出:战略性淡化存储模组,重仓核心上游刻蚀设备与电子耗材。
近期佰维存储预告2025年利润同比增长400%-500%,确实亮眼。很多人问:“这么好的业绩,为什么你不冲?”
因为投资买的是预期,不是兑现。
“库存红利”的终结:模组厂过去两年的暴利,核心逻辑是**“低价库存+价格暴涨”**。他们在2023-2024年囤积了大量廉价库存,2025年卖出了高价。但到了2026年1月,低价库存是否已耗尽这个是未知数。
上游剪刀差反转:现在三星、SK海力士已全面掌控议价权。上游晶圆价格高企,模组厂的进货成本大幅提升,这意味着2026年他们的毛利率很难再通过“剪刀差”扩张,甚至可能被压缩。
结论:模组厂依然是好公司,但最肥美的“Beta收益”阶段已经结束。接下来的确定性,属于上游设备和耗材。
为什么敢断言2026年是爆发之年?因为需求端的三个逻辑已经形成了**“共振”**,直接倒逼上游扩产。
这是确定性最高的逻辑。
HBM的挤出效应:为了全力生产HBM4(SK海力士已定档2026年Q3大规模量产),原厂将大量DRAM产能转产HBM。HBM对晶圆消耗量是普通DRAM的3倍以上。
传统存储被迫延寿:由于产能被HBM挤占,三星和SK海力士甚至不得不宣布将DDR4产线寿命延长至2026年底,这在历史上极为罕见。
扩产数据:根据TrendForce和SEMI的最新追踪,2026年全球DRAM和NAND的资本开支(Capex)预计将激增20%以上,只为填补这巨大的产能缺口。
2026年是AI PC和AI手机的真正爆发年。
渗透率飙升:Gartner最新数据显示,预计2026年AI PC将占据全球PC市场**55%**的份额(2025年仅为31%)。
硅含量提升:AI终端对DRAM容量的需求翻倍(标配从16GB走向32GB/64GB),同时NPU面积增大。这对晶圆消耗的拉动是指数级的。
推理侧爆发:如果说2024年是训练侧(Training)的天下,2026年则是推理侧(Inference)的爆发。应用端对算力的渴求,使得CoWoS先进封装产能依然处于紧平衡状态,这对后道设备提出了极高要求。
在所有上游环节中,我为何独独挑出这两个?因为它们是技术演进的最大受益者。
插曲:为什么不是光刻机?光刻机国产替代逻辑没刻蚀设备那么顺畅,另外从存储芯片角度讲,刻蚀更刚需。
芯片结构从2D走向3D,刻蚀是最大的增量。
NAND层数堆叠的暴力美学:
现状:三星和SK海力士在2026年的主战场是400层以上的V-NAND。
逻辑:层数越高,需要打孔(Channel Hole)的深宽比(Aspect Ratio)就越恐怖。要在400层楼高的大厦里打通一口垂直的井,任何偏差都会导致报废。
数据支撑:刻蚀步骤在3D NAND制造中的价值占比已超过50%。随着层数突破300层大关,刻蚀设备的采购需求不是线性增长,而是指数级增长。
国产替代:目前AMEC(中微)等国产巨头的5nm刻蚀机已进入台积电验证序列,且在存储产线的CCP刻蚀设备市占率不断突破,2026年将是业绩兑现大年。
如果说设备是“卖铲子”,耗材就是“卖水”。
稼动率逻辑:2026年全球晶圆厂稼动率(Utilization Rate)预计将维持在**90%-95%**的高位。只要机器在转,就必须消耗光刻胶、抛光液(CMP)、电子特气。
技术迭代带来的量价齐升:
CMP(化学机械抛光):随着制程微缩和堆叠层数增加(如HBM的TSV工艺),抛光步骤大幅增加。
光刻胶:EUV光刻机的普及带动了高端光刻胶的需求。
稳定性:相比于设备的一次性采购,耗材的业绩更平滑、更抗跌,是2026年最稳健的“现金奶牛”。
我们现在处于什么位置?请看权威数据:
市场规模冲刺1万亿:世界半导体贸易统计组织(WSTS)在最新展望中预测,全球半导体市场规模将在2026年逼近1万亿美元大关,年增长率预计超过25%。
设备支出新高:SEMI(国际半导体产业协会)报告显示,2026年全球前端晶圆厂设备支出将同比增长18%,达到1300亿美元的历史新高。
这说明什么?
说明我们已经走出了“复苏确认期”,正式进入了由**“严重供需错配”引发的“激进扩产期”**。这是芯片周期中最肥美、爆发力最强的一段。
2026年的芯片投资,是一场关于“确定性”的博弈。
看空:不是看空模组厂的公司质量,而是看空“库存差价”逻辑的持续性带来的空间。
看多:极度看好上游核心设备(特别是刻蚀)和电子耗材。
最终策略:
如果说2025年你是靠“胆大”买了存储模组赚到了钱,那么2026年,你需要靠“专业”买入上游设备和材料来守住繁荣。
关注那些在400层NAND扩产中拿到订单的刻蚀设备龙头,以及那些深度绑定晶圆厂、受益于90%稼动率的耗材龙头。这才是2026年芯片爆发的主升浪。
免责声明:本文仅代表当前时间节点(2026年1月)的行业观点,不构成具体买卖建议。市场有风险,投资需谨慎。