随着AI算力需求爆发,光通信正从传统光模块向 CPO(共封装光学) 演进,而硅光芯片成为核心技术路线。
但在整个产业链中,真正的瓶颈并不是芯片设计,而是:
SiGe(锗硅)工艺产能。
原因很简单:
硅光芯片中最关键的光电转换器件——光电探测器,几乎全部依赖SiGe工艺。
如果没有SiGe,就无法把光信号转成电信号。
换句话说:
SiGe产能 = 硅光芯片产能的“天花板”。

硅光芯片主要完成两件事情:
1️⃣ 在硅波导中传输光
2️⃣ 将光信号与电信号互相转换
其中:
功能关键器件工艺光传输波导SOI光调制调制器CMOS光检测光电探测器SiGe
问题在于:
纯硅不能高效吸收通信波长的光。
通信光波长通常为:
1310 nm
1550 nm
而硅在这个波段几乎透明。
解决方案就是:
在硅上外延一层锗(Ge)
形成:
SiGe光电探测器
这样