碳化硅

超越液冷、PCB半导体最具有爆发力的方向已经出现，华为、英伟达两大巨头正在全面押宝碳化硅这个新方向！

接下来很有可能成为2025下半年最具爆发力的标杆！英伟达在新一代Rubin处理器中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅（SiC）。目前台积电邀请各大厂商跟进碳化硅中间基板的制造技术！

其次近日华为公布两项专利，均涉及碳化硅散热，包括《导热组合物及其制备方法和应用》和《一种导热吸波组合物及其应用》，两项专利均用碳化硅做填料，提高电子设备的导热能力。最后是我国在8月份发布的《贯彻实施〈国家标准化发展纲要〉行动计划》中，也明确将碳化硅列为第三代半导体核心材料，要求加速制定器件标准并推动规模化应用！这意味着和PCB、液冷一样，碳化硅也正在全面迎来技术变革+政策催化的重磅时间窗口！其作为第三代半导体的核心原材料，未来将充分在数据中心、AI芯片、机器人、汽车、手机、商业航天等领域得到应用，衍生的市场空间高达万亿级别！

天岳先进：技术突破：全球首家实现12英寸碳化硅衬底量产，8英寸导电型衬底良率超70%，成本较6英寸降低40%。液相法制备技术使8英寸衬底良率提升至85%，12英寸光学级衬底单片可支持3-4副AR眼镜生产，抢占AI/AR新赛道。

露笑科技：6英寸导电型衬底量产良率65%（行业平均50%），单价较国际低30%；8英寸衬底良率60%，计划2026年车规级量产。合肥基地一期达产后产能24万片/年，二期规划扩产至50万片/年。

晶盛机电：设备市占率：全球碳化硅长晶炉市占率超50%，覆盖长晶、切割、外延全链条设备，8英寸外延设备国产化率超80%。国内唯一实现设备与材料协同发展的企业，设备端受益全行业扩产，材料端抢占大尺寸技术先机。

东尼电子：碳化硅切割线及导电材料市占率超35%，切割效率提升30%，供应天岳先进、三安光电等头部企业。切割材料领域隐形冠军，单晶材料技术突破打开长期增长空间。

赛微电子：产能规划：北京FAB3厂6英寸碳化硅外延片产能达5000片/月，良率超90%，已供应华为海思、安世半导体。8英寸外延设备进入调试阶段，预计2026年量产。

华润微：产能释放：6英寸碳化硅外延片产能2500片/月，车规级产品良率超95%，已进入特斯拉、蔚来供应链。重庆12英寸产线规划产能3万片/月，2025年三季度通线。

中微公司：技术进展：ICP刻蚀设备在碳化硅器件制造中实现突破，已通过士兰微、华润微验证，2025年新增订单超5亿元。MOCVD设备切入氮化镓基功率器件市场，与华为海思合作开发5G基站射频芯片。

三安光电：唯一性：国内唯一实现“衬底-外延-器件”全流程制造的IDM企业，湖南基地规划年产48万片8英寸碳化硅器件，与意法半导体合资的重庆安意法8英寸车规级产线2025年四季度量产。打破垄断：在碳化硅领域打破了Wolfspeed、罗姆等国际巨头的技术封锁大厂

华为哈勃投资三安集成，双方在车规级SiC器件、光通信芯片等领域展开联合研发，形成“技术-资本”双重绑定。同时打入比亚迪核等大厂供应商海外拓展：产品已通过博世、大陆集团认证，2025年海外收入占比预计从18%提升至35%，成为特斯拉、大众等国际车企的二级供应商。