$天奈科技(SH688116)$ 碳基刚刚又干了一件硅基干不好的大事——面向高辐射环境的大规模互补碳纳米管集 成电路，展示了大规模CNTFET的辐射耐受性，为在高辐射环境中替代硅基FET开辟了新道路。
北京航空航天大学林晓阳团队、北京大学彭练矛院士团队和许海涛团队Sci. Adv.
随着航天、核能及深空探测等领域对电子器件辐射耐受性需求的不断增加，如何在极端辐射环境下保持电子设备的可靠性和稳定性，成为了当前电子器件设计中亟待解决的关键问题。传统基于硅的集成电路（CMOS）技术在强辐射环境中常常受到辐射粒子和高能射线的影响，导致晶体管失效、阈值电压漂移以及逻辑错误等问题。因此，开发能够在高辐射环境下仍保持高性能和可靠性的替代技术，成为了辐射电子器件研究的热点。
碳纳米管（CNT）作为一种具有优异电学性能、热稳定性及辐射抗性的材料，近年来成为了抗辐射电子器件的理想候选材料。相比传统硅基器件，CNT