三星和SK海力士加大对中国工厂投资以扩大存储芯片供应，两者合计合各自的中国工厂投资约1.5万亿韩元。其中三星电子投资4654亿韩元，SK海力士投入超过1万亿韩元。
三星电子具体投资对象为中国西安工厂（三星唯一的海外NAND闪存生产基地）。将主力工艺从128层（第6代）转换为236层（第8代），以提升产能和盈利能力。
SK海力士具体投资对象为中国无锡的DRAM生产工厂和大连的NAND闪存制造厂，资金超1万亿韩元，其中无锡工厂投入5810亿韩元，大连工厂投入4406亿韩元。
无锡工厂DRAM生产工艺从10纳米级第三代（1z）升级到第四代（1a），以量产第五代双倍数据率（DDR5）等高附加值产品。
背后的战略考虑上来说，仅靠韩国国内设施难以满足全球需求，因此通过强化中国生产基地来扩大供应。此外，为防止核心技术外泄，海外工厂与国内工厂通常保持约两代的工艺差距，随着韩国国内生产更高代际产品，中国工厂的工艺转换进程也会加快。$南方两倍做多三星电子(07747)$ $XL二南方海力士(07709)$