存储芯片新方向：HBF。陶瓷基板是HBF主要散热载体
外媒报道，SK海力士正与闪迪合作，致力于HBF标准的制定。该公司计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。HBF将得到广泛应用,未来3年内，HBF方案将频繁涌现，到2038年左右，HBF市场将超过HBM市场。
HBF是专为 AI 推理场景设计的新型存储技术,通过硅通孔技术(TSV)垂直堆叠实现芯片数据互通.陶瓷基板的导热率是传统有机基板的10~100 倍，是 TSV 技术的主要载体。TSV 将芯片内部热量传导至芯片表面，陶瓷基板快速将热量扩散至散热系统，避免局部高温导致 TSV 失效、HBF 读写错误率上升。
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