黑磷烯，黑科技，中钢天源迈向二维半导材料领域
近日，中钢天源通过《专利合作条约》（PCT）途径申请的国际专利《一种黑磷纳米片及其制备方法与应用》正式获得美国专利商标局授权。这是中钢天源首项通过PCT途径在美国获得授权的发明专利，标志着中钢天源在国际化知识产权布局上迈出关键一步，彰显了公司在新材料领域核心技术创新能力获国际认可。
黑磷烯，作为一种极具应用潜力的二维半导体材料，长期以来因其制备难度大而备受关注。中钢天源的此项专利技术为低维材料规模化制备开拓了新思路，提供了一种以黑磷烯为代表的一系列导电二维层状材料剥离至单层的规模化制备方法，该方法通过碱性水系电解液结合环氧树脂辅助电化学剥离，可实现低氧化、高产率黑磷纳米片制备，做到了先进低维层状材料备技术与绿色生产理念高效融合。
该技术的突破是中钢天源迈向高端先进材料制造的又一重要标志，填补了国际相关领域的技术空白，将引领低维层状材料生产行业向更清洁、更绿色、更高质量方向发展。
$中钢天源(SZ002057)$