晶合集成获得发明专利授权：“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法”，专利申请号为CN202510631459.X，授权日为2025年8月19日。

专利摘要：本发明公开了一种嵌入式存储结构、阻变存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先在第一半导体结构的层间介质层上制备第一金属间电介质层；在第一金属间电介质层内制备第一金属线路和第一电极板；继续制备第一阻挡层；采用蚀刻工艺打开第一电极板一侧区域的第一金属间电介质形成第一凹槽；依次沉积阻变材料和导电金属材料；平坦化并停留在第一阻挡层上，得到嵌入式存储结构。本发明通过全新的工艺顺序制备了改变电极板方位的阻变存储单元，以此结构制备阻变存储器，使得阻变式阻变存储器整体紧凑，也可以兼容现有技术中MOS制程。经过仿真验证，本发明可靠性、可操作性强，具有较高的制作良率。

今年以来晶合集