晶合集成获得发明专利授权：“图像传感器及其形成方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“图像传感器及其形成方法”，专利申请号为CN202510840719.4，授权日为2025年8月26日。

专利摘要：本发明提供一种图像传感器及其形成方法，衬底的正面形成多个沟槽组，每个沟槽组包括两个子沟槽；去除两个子沟槽之间的至少部分间隔，以使两个子沟槽连通形成一个沟槽，构成光电感应预留区；在光电感应预留区内形成光电转换结构；执行第三刻蚀工艺，沿衬底的背面刻蚀部分衬底暴露出光电转换结构的底部和部分侧壁，光电转换结构的底部构成陷光结构，相邻光电转换结构侧壁之间的区域构成隔离区域，其中，第三刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺。本发明意想不到的效果是，在同样像素面积的条件下，陷光结构增加了光电感应区面积，提升了图像传感器性能；湿法刻蚀工艺同时形成陷光结构和隔离区域，节省了工艺步骤并且避免了干法蚀刻工艺导致的晶格损伤