扬杰科技获得实用新型专利授权：“降低续流损耗的SiC器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“降低续流损耗的SiC器件”，专利申请号为CN202422653389.1，授权日为2025年9月5日。

专利摘要：降低续流损耗的SiC器件，涉及半导体技术领域。通过在间隔排布的P‑body区和SiC Drift层之间形成的JFET区上，刻蚀形成平台区，并在上表面离子注入形成P+区，制备肖特基接触后实现了内部集成JBS二极管，在不过多增加芯片面积的同时减小了续流损耗。并且此设计还减小了栅极处Poly层和栅氧化层与SiC Drift层的耦合面积，从而减小了器件的栅漏寄生电容Cgd，提高了器件的开关性能，减小开关损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权74个，较去年同期增加了7.25%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.2亿元，同比增11.74%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目188次；财产线索方面有商标信息5条，专利信息754条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可233个。

数据来源：天眼查APP

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