南大光电获得发明专利授权：“半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示南大光电（300346）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法”，专利申请号为CN202410839150.5，授权日为2025年9月23日。

专利摘要：本发明公开了半导体工业用Ⅲ族金属有机化合物及其制备方法，制备方法包括：将R2MCl与格氏试剂(CH3)2N‑(CH2)3‑MgCl反应，得R2M‑(CH2)3‑N(CH3)2；其中，R为CH3、C2H5、C3H7或i‑C3H7；M为In、Ga或Al。本发明的合成制备方法操作简单，成本低，能够获得有机纯度和无机纯度均较高的半导体工业用有机金属化合物，如制备高纯度[3‑(二甲氨基)丙基]二甲基铟、[3‑(二甲氨基)丙基]二甲基镓、[3‑(二甲氨基)丙基]二甲基铝、[3‑(二甲氨基)丙基]二乙基镓和[3‑(二甲氨基)丙基]二丙基铟，满足了半导体行业对高纯度成品的要求。

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