扬杰科技获得实用新型专利授权：“具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示扬杰科技（300373）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“具有分裂栅结构的SiCMOSFET器件”，专利申请号为CN202422576212.6，授权日为2025年9月16日。

专利摘要：具有分裂栅结构的SiC MOSFET器件，包括从下而上依次设置为N+衬底层、N‑外延层、栅氧化层、Poly层、隔离介质层和正面电极金属层；所述N‑外延层内设有：P‑body区，设有一对，分别从所述N‑外延层的顶面向下延伸；第一N+区，从所述P‑body区顶面向下延伸；第一P+区，从所述P‑body区顶面向下延伸，并与所述第一N+区的侧部连接；第二P+区，沿所述P‑body区的内侧向下延伸至P‑body区的下方，将所述P‑body区的内侧拐角处包裹；第二N+区，从所述第二P+区的顶部向下延伸，与所述P‑body区相连；所述栅氧化层的底面分别与第一N+区、P‑body区和第二N+区连接；所述Poly层设置在栅氧化层的顶面；本实用新型在一定程度上可提高器件的开关性能，降低开关损耗。

今年以来扬杰科技新获得专利授权76个，较去年同期增加了10.14%。结合公司2025年中报财务数据，今年上半年公司在研发方面投入了2.2亿元，同比增11.74%。

通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了28家企业，参与招投标项目188次；财产线索方面有商标信息6条，专利信息754条，著作权信息5条；此外企业还拥有行政许可233个。

数据来源：天眼查APP

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