晶合集成获得发明专利授权：“一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件”

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件”，专利申请号为CN202511501182.5，授权日为2026年1月30日。

专利摘要：本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件，LDMOS器件的制备方法包括：提供半导体层，所述半导体层包括用于形成体区的第一区域和用于形成漂移区的第二区域，从靠近第一区域到远离第一区域的方向，第二区域依次包括第一子区域、第二子区域和第三子区域；在第一区域中形成体区，在第二区域的第一子区域形成第一漂移区、在第二区域的第二子区域形成第二漂移区，在第二区域的第三子区域形成第三漂移区；在体区中形成源区，在漂移区中形成漏区；在源区和漏区之间的半导体层表面形成栅极电介质和栅极导体；其中，所述第一漂移区和所述第三漂移区的掺杂浓度大于所述第二漂移区的掺杂浓度。

今年以来晶合集成新获得专利授权31个，较去年同期增加了158.33%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了6.95亿元，同比增13.13%。

通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目636次；财产线索方面有商标信息75条，专利信息1599条，著作权信息9条；此外企业还拥有行政许可22个。

数据来源：天眼查APP

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