$恒烁股份(SH688416)$
恒烁股份磁电融合技术以“存算一体+磁存储”为核心，主攻低功耗、高密度、高速读写场景，目前处于技术验证与合作研发阶段，尚未规模量产。以下为关键信息：
一、技术定位与架构
- 路线选择：融合NOR Flash存算一体与磁存储介质特性，侧重边缘计算+冷/温数据分级存储，降低数据搬移功耗与延迟。
- 核心目标：实现存储密度提升3-5倍、功耗降低50%+，并保持与通用存储协议（如NVMe、SATA）兼容，适配x86/ARM平台。
- 差异化优势：依托自研NOR Flash存算一体技术（CiNOR系列），将磁存储作为大容量扩展层，构建“高速缓存+高密度磁存储”混合架构，提升系统能效。
二、研发进展与里程碑
1. 2024-2025年：完成磁电融合单元架构设计与仿真，验证读写速度、功耗、稳定性等关键指标。
2. 2025年中：与高校/科研机构联合开发磁电介质材料与工艺，优化磁电转换效率与存储单元可靠性。
3. 2025年底：推出原型样品，开展与存储控制器、服务器平台的兼容性测试，同步推进专利布局。
4. 2026年规划：深化与存储模组厂商合作，推动小批量试制，目标在边缘服务器、车载存储、数据中心分级存储场景落地。
三、关键技术参数（原型阶段）
表格
参数 指标
存储介质 磁电复合薄膜（自研配方）
接口形态 PCIe 4.0、U.2
存储密度 目标1Tb/in²（当前验证0.5Tb/in²）
读写速度 顺序读≥1.2GB/s，写≥800MB/s
功耗 待机＜5mW，读写＜2W/GB
擦写次数 磁存储层≥10⁶次，存算层≥10⁵次
四、合作生态与落地路径
- 合作方：与中科大共建实验室，联合研发磁电材料与制程；与存储模组厂商合作开发适配方案，推进兼容性测试。
- 市场策略：先聚焦车载存储、工业物联网、边缘AI等低功耗高密度场景，再逐步拓展至数据中心冷存储，避开与华为等在高端数据中心的直接竞争。
- 挑战与风险：磁电转换效率、良率控制、成本优化仍是量产关键；依赖外部供应链提供磁电介质与制造工艺，进度受合作方影响。
五、对比与行业位置
- 与华为对比：华为主攻数据中心级磁电存储系统（如OceanStor Arctic），恒烁侧重边缘与分级存储，路线互补。
- 与斯迪克对比：斯迪克掌握磁电介质核心工艺，恒烁聚焦芯片与系统架构，存在供应链合作潜力。
六、总结
恒烁股份磁电融合技术处于从原型到量产的过渡期，技术方向明确，依赖合作研发与供应链协同推进产业化。短期看，边缘计算与车载存储是优先落地场景；长期需突破材料、工艺、成本瓶颈，才能在数据中心市场形成竞争力。