AI算力中的SiC

在 AI 算力的宏大版图中，碳化硅（SiC）正悄然崛起，成为一股不可忽视的关键力量，其在两大重要领域的应用，让相关产业链公司迎来重大机遇，天岳先进和晶盛机电便是其中的典型代表。

SiC：HVDC电源的核心材料

先看 SiC 在电源领域的应用。随着 AI 训练集群功耗如火箭般攀升，数据中心供电正从传统低压方案向高压直流迅猛演进。SiC 器件凭借自身特性，可支撑 800V 乃至更高电压的配电架构，在变电站 AC/DC 整流、固态变压器和中压 DC/DC 转换等环节大显身手，实现微秒级的故障隔离，大大提高供电可靠性。像安森美推出的 AI 数据中心电源解决方案，通过融合先进的硅基、碳化硅和氮化镓功率开关技术，显著提升系统能效与功率密度。其 12kW 电源单元参考设计，转换效率高达 98%。而在这一领域，天岳先进作为全球碳化硅衬底第二大厂商（市占率 22.8%），技术领先，全球首发 12 英寸碳化硅衬底，还掌握液相法生产 P 型碳化硅技术，成本比传统气相法低 40%。公司客户资源硬核，不仅给英飞凌、博世供车规级衬底，订单超 5 亿元，还切入英伟达数据中心电源供应链，为其 GPU 电源模块提供碳化硅二极管。随着数据中心对高效电源需求的持续井喷，天岳先进有望深度受益。

SiC：CoWoS衬底的新希望

再谈 SiC 作为 CoWoS 衬底的应用。当 AI 芯片功率突破 1000 瓦，传统硅材料在散热方面已力不从心。英伟达的 Rubin 处理器计划用碳化硅替代硅作为 CoWoS 先进封装的中间基板。因为碳化硅热导率高达 490W/mK，是硅的 3 倍多，且耐高温性极强，在 150℃环境下性能依旧稳定，完全适配数据中心 “24 小时满负荷” 的工况。例如，一块硅中介层的 H100 芯片满负荷运行时温度会飙升到 95℃，而换成碳化硅中介层后，温度能降到 75℃，散热成本降低 30%，芯片寿命延长 2 倍。在这一技术方向上，虽然目前碳化硅用于 CoWoS 封装面临高深宽比通孔制备难和成本过高的问题，但近期技术突破不断。美国杨百翰大学与尼尔森科学公司合作做出深宽比 109:1 的 4H - SiC 中介层，台积电联合日本 DISCO 开发出 “激光 + 湿法刻蚀” 复合工艺，提升了制备效率和良率。天岳先进凭借其在碳化硅衬底领域的深厚积累和领先技术，未来若台积电的碳化硅中介层量产，极有可能成为核心供应商之一。

头部玩家

晶盛机电作为国内碳化硅单晶炉的绝对龙头，市占率超 60%，国内主流衬底厂商如天岳先进、天科合达都采用它的单晶炉，其 8 英寸设备已交付验证。公司还与中科院合作优化长晶工艺，使碳化硅晶体生长良率提升 15%，帮助客户降低成本。随着碳化硅在 AI 领域应用的不断拓展，衬底厂商扩产需求强烈，晶盛机电作为设备供应商，将充分享受行业增长带来的红利，如同在淘金热中卖铲子的人，旱涝保收。

在 SiC 晶圆制造领域，天岳先进已然成为全球瞩目的行业翘楚，其技术实力与产品品质达到世界领先水平，对整个 AI 算力产业的 SiC 应用生态产生了深远影响。根据权威行业调研机构日本富士经济报告测算，2024 年在全球导电型碳化硅衬底材料市场中，天岳先进以 22.8% 的市场份额，稳坐全球第二大碳化硅衬底制造商的宝座，产品畅销全球，不仅供应国内众多厂商，还与德国博世、英飞凌等世界知名企业建立了长期稳定的合作关系，全球前十大功率半导体器件制造商中，超半数都采用了天岳先进的碳化硅衬底，其在国际市场的品牌知名度与产品认可度极高。

$晶盛机电(SZ300316)$ $天岳先进(SH688234)$

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