AI光互联：中国企业在InP赛道的历史性机遇
作为早在2024年就系统开展CPO、OIO研究的人，最近一个多月，光模块圈围绕NPO和CPO的争吵实在让人看不下去——各方各执一词，吵来吵去却始终没触及核心。索性另辟蹊径，把目光投向产业链上游，聚焦在有源光芯片的三大核心体系：InP（磷化铟）、SiPhi（硅光子）、TFLN（薄膜铌酸锂）。这三大体系，恰恰是对光互联xPO形态之争完全免疫的存在，也是AI光互联真正的“根基”所在。
如今，市场已经形成一个共识：对于AI光互联而言，无论NPO还是CPO，InP芯片是不可或缺的核心赛道，其独特价值无人能替代，InP芯片都是绕不开的关键环节。
在和粉丝的交流互动中，很多朋友反复提醒我一个关键点：大家讨论InP芯片时，往往忽略了更上游的环节——原材料和InP衬底，这才是决定整个InP行业发展速度、发展高度的核心卡点。顺着这个思路，我沉下心追溯调查了一个星期，梳理出一些关键信息和思考，今天和大家好好聊聊，也分享下我的核心判断。
先说结论，也是我这一周调查最核心的收获：InP产业链上下游的中国企业，即将迎来远优于国外同行的历史性机遇，这份机遇，既有技术突破的支撑，更有产业链闭环和政策环境的双重加持，确定性极强。
一、技术无短板，中国企业已实现全面突破
很多人仍有固有印象，认为国内在高端光芯片领域“卡脖子”，但InP赛道的实际情况，早已超出多数人的预期——从高端到中低端，国内企业均已实现突破，不存在明显短板，部分领域甚至实现了反超。
1. 高端InP芯片：与国际巨头同台竞技，部分领域实现领先
高端InP芯片的核心应用场景，集中在EML（电吸收调制激光器）以及NPO/CPO模块所需的大功率CW-DFB（连续波分布式反馈激光器），这两个领域长期被海外巨头垄断。但目前，东山精密（旗下索尔思）已经实现关键突破，技术水平完全与国际巨头站在同一起跑线，打破了海外垄断格局。
更值得关注的是，东山精密在单片多通道InP PIC（光子集成芯片）领域的表现，更是凸显了国内企业的技术领先性——其集成度已经超越海外同行，这意味着在高算力、高密度传输场景下，东山精密能够提供更高效、更具成本优势的解决方案，为后续大规模应用奠定了坚实基础。要知道，PIC集成度是AI光互联规模化落地的核心瓶颈之一，这一突破的意义不言而喻。
2. 中低端InP芯片：实现群体突破，产能规模领先
中低端InP芯片主要应用于硅光模块，以75mw、100mw CW-DFB芯片为核心，这一领域的突破，标志着国内InP芯片实现了规模化、商业化的落地。以源杰科技为代表的国内企业，在中际旭创的带领下，已经实现了这类芯片的群体突破，不再依赖进口。
更关键的是，国内企业的产能已经跟上了市场需求——永鼎股份、长光华芯等企业，均已具备年出货量千万级的能力，能够稳定供应下游硅光模块企业，彻底解决了“有技术、无产能”的尴尬，也为国内InP产业链的闭环提供了产能支撑。
3. InP衬底：卡点突破，国产供应能力持续提升
InP衬底是InP芯片的核心原材料，也是此前被认为的“卡点”之一。但目前，国内企业已经在这一领域实现关键突破，云南锗业、北京通美等企业，已经能够稳定量产InP衬底，满足下游芯片企业的需求。
从行业供给来看，目前国内InP衬底新扩建产能，主要由北京通美和云南锗业贡献，随着两家企业产能的逐步释放，国内InP衬底的自给率将持续提升，彻底打破海外对InP衬底的垄断，为下游芯片企业提供稳定、安全的供应链保障。需要特别说明的是，北京通美作为美国AXT公司（纳斯达克上市，股票代码AXTI）的核心运营主体，其生产、研发均位于中国大陆，本质上是国内InP衬底领域的核心力量之一。
二、出口许可证管制：意外之喜，国内企业迎来排他性机遇
21日晚间，纳斯达克上市的AXTI发布财报后，电话会议中披露了很多InP衬底和上游原材料领域的关键细节，也间接印证了我对国内InP企业机遇的判断。
先回顾一下全球InP衬底的市场格局：磷化铟衬底是全球半导体材料领域技术壁垒最高的环节之一，长期以来被双寡头垄断——日本住友电工占据约50%的市场份额，美国AXT（核心资产为北京通美）占据约35%的市场份额，两者合计占据全球85%以上的市场份额，表面上看，这是一个牢不可破的垄断格局，国内企业很难突围。
但这个看似稳固的垄断格局，存在一个致命的缺陷：无论是日本住友电工，还是美国AXT，都不生产InP衬底所需的核心原材料，高度依赖从中国进口高纯度金属铟和锗。根据公开数据显示，日本半导体产业对中国铟、镓的依赖度超过85%，对锗的依赖度更是接近100%；更致命的是，日本军工领域的43个细分技术参数项中，有68%依赖中国进口的相关材料，其中就包括铟、锗等关键元素。
随着中国加强两用物项出口管制（2026年度《两用物项和技术进出口许可证管理目录》已明确将铟、镓、锗等战略矿产物项纳入管制），这种高度依赖的弊端彻底暴露——日本住友电工面临的不是原材料成本上涨的问题，而是“有钱买不到”的物理性缺货困境，其InP衬底的生产将受到直接冲击，产能必然出现收缩。
而AXTI在电话会议中也明确透露，目前其大量InP相关产品堆积在仓库中，无法正常出口，核心原因就是无法获得中国的出口许可证——作为核心运营主体位于中国的企业，其产品出口必然受到国内出口管制政策的约束，这也意味着，AXT的海外供应能力将大幅下降，全球InP衬底的供应格局将出现巨大缺口。
反观国内，中国已经构建了从上游原材料（铟、锗等）、InP衬底，到InP芯片、下游光模块的完整产业链闭环体系，完全不受此次出口管制政策的影响。相反，海外的几大巨头，无论是InP衬底领域的住友电工、AXT，还是下游光芯片领域的Lumentum、Coherent，都被卡在InP衬底及锗、镓、铟等稀有元素的供应上，产能扩张和稳定供应将受到严重制约。（我们每次拿出稀土大绑，T哥立马怂）。
这种格局下，国内InP上下游企业将直接受益——海外产能缺口，将由国内企业填补，国内企业不仅能够占据国内市场，更有机会借助此次机遇，切入全球供应链，抢占海外市场份额，迎来历史性的发展窗口。
三、重点解析：东山精密2027年实现3亿颗InP芯片的可能性解析
聊完了整个InP赛道的机遇，我们聚焦到具体企业——东山精密。作为国内高端InP芯片领域的龙头企业，东山精密凭借技术先发优势，以及国产供应链的保驾护航，启动了大规模扩产计划，这也引发了市场的广泛关注和争议。
市场争议的核心的是：东山精密计划从2025年6月的300万颗/月，提升到2027年一季度的2800万颗/月，一年半时间，产能提升接近8倍；而同期，全球InP芯片龙头Lumentum的产能提升预期仅为40%。如此激进的扩产计划，到底是否可行？市场上很多人持怀疑态度，今天我从InP衬底的角度，给大家做一个量化分析，聊聊我的判断。
要判断东山精密扩产是否可行，核心是判断“上游InP衬底的供应能否跟上下游芯片的产能扩张”——毕竟，InP衬底是InP芯片的核心原材料，衬底供应不足，再激进的扩产计划也只能是“空中楼阁”。我们从两个维度展开分析：
第一，单颗InP芯片对衬底的需求量测算。通常情况下，1片4英寸InP衬底，可生产约800-1000颗CW-DFB芯片（具体数量取决于芯片尺寸和良率）；考虑到东山精密主要生产高端InP芯片（EML、大功率CW-DFB、单片多通道PIC），芯片尺寸相对较大，良率处于行业领先水平（参考其技术优势），我们保守测算，1片4英寸InP衬底可生产约800颗InP芯片。
第二，东山精密扩产后的衬底需求量测算。2027年一季度，东山精密InP芯片产能为2800万颗/月，全年产能约为3.36亿颗（按满产测算），公司计划实现3亿颗的产量目标，对应衬底需求量为：3亿颗 ÷ 800颗/片 = 37.5万片/年（4英寸InP衬底）。
第三，国内InP衬底的供应能力测算。目前，国内InP衬底的核心供应商为北京通美和云南锗业，两者合计产能约为20万片/年（4英寸）；随着两家企业新扩建产能的逐步释放，预计到2026年底，两者合计产能将提升至40万片/年以上，完全能够覆盖东山精密37.5万片/年的衬底需求量。另外，东山精密在海外的工厂，也能够分享海外产能。
除此之外，还有两个关键因素支撑东山精密的扩产计划：一是东山精密与国内InP衬底企业（尤其是北京通美）已经建立了深度合作关系，能够优先获得衬底供应，避免出现“卡脖子”的情况；二是东山精密的技术优势能够保障芯片良率稳定提升，随着产能规模的扩大，规模效应将逐步显现，芯片生产成本将持续下降，进一步提升其市场竞争力——要知道，东山精密在单片多通道InP PIC领域的集成度领先海外，能够有效提升衬底的利用率，间接降低衬底的单位消耗。
综合来看，从InP衬底的供应能力来看，东山精密2027年实现3亿颗InP芯片的产量目标，可行性较高，2亿左右会更合理。当然，这一目标的实现，也依赖于下游AI光互联需求的持续爆发，以及公司产能爬坡的顺利推进，后续我们可以持续跟踪这两个核心变量。
四、投资机遇
结合InP赛道的历史性机遇与国内产业链闭环优势，相关核心企业的投资价值值得重点关注，覆盖InP芯片、下游光模块全产业链，具体来看：
东山精密，作为高端InP芯片龙头，凭借PIC集成度领先优势和激进扩产计划，有望充分享受高端芯片国产替代红利；
源杰科技、永鼎股份、长光华芯，聚焦中低端InP芯片领域，已实现技术突破和规模化量产；
中际旭创、新易盛作，为下游光模块龙头，其高端光模块产品高度依赖InP芯片，在国内InP芯片产能持续释放、供应链安全可控的支撑下，进一步巩固全球市场地位。
风险警示：InP赛道虽有机遇，但仍面临技术迭代、产能过剩、政策变动、企业经营及原材料价格波动等相关风险，需理性看待、谨慎布局。