$上海新阳(SZ300236)$
需要理解的是新阳的产品位置：
氮化硅蚀刻液国内唯一国产替代，新的面向DRAM的蚀刻液量产销售。
国产替代加速：长江存储（NAND）、长鑫存储（DRAM）技术突破国际垄断及扩产带动蚀刻液销售规模快速增长。
氮化硅、氮化钛蚀刻液都是上海新阳与存储客户共同合作开发的大类别单品，以国产替代方式走进客户端成为独家供应应商。
刻蚀液也是半导体自主链条的关键一环，这一块上海新阳核心技术在3D NAND/DRAM存储器芯片制造的氮化硅/钛等蚀刻产品上。
2018年以来，公司经过了三次技术迭代，截至2024年上海新阳已实现第四代产品的开发，可满足最大纵深比1:200的复杂图形的高精度蚀刻。
与此同时，公司还研发了适用于全世界最高水准的3DNAND存储芯片的高选择比氮化硅蚀刻液，选择性蚀刻速率最高可达2000:1。
氮化硅蚀刻液21年开始向长存供货当年实现营收3300万元远超原有1000万元的销售预期，22年超1亿元，长存进口设备受限扩产受阻，23、24年对长存增长销售主要来自长存产品层数变化带来的增加用量（23、24年营收约1.4亿、1.9亿），氮化硅蚀刻液长存独供公司曾预计只要长存有30万片产能（128层以上产品各10万片），保守估计可以带来8亿以上营收。今年开始就会有长存新产能释放迎来的新增销售。
氮化钛蚀刻液今年的销售增长主要是看DRAM存储客户在产线上的替换速度，后续就是看客户产品升级迭代及产能扩张带来增长销售。
公司电镀液及添加剂产品已实现90-14nm技术节点的全覆盖，其中超高纯硫酸铜纯度达到0.1ppb（十亿分之一）以下，质量接近国际巨头Entegris水平。
公司TSV工艺电镀添加剂实现20:1深宽比的微孔电镀填充，达到国际领先水平。
HBM技术布局：国产化降本50%，助力AI芯片发展
当前，在人工智能算力需求爆发的时代背景下，高带宽存储器（HBM）作为驱动AI芯片发展的核心技术，其制造过程中关键的硅通孔（TSV）电镀工艺正成为产业竞争的重要焦点。全球半导体产业格局中，国际领先厂商已相继实现HBM2e、HBM3及HBM3e的量产突破，并加速推进下一代HBM4的研发进程。值得关注的是，随着HBM技术代际升级，电镀工艺在整体制造成本中的占比呈现指数级增长，这一趋势使得工艺国产化成为提升产业竞争力的关键突破口。
在这一背景下，芯栋微携手上海新阳创新性地打造了“国产设备 国产药液”的整体解决方案，实现了重大技术突破。该方案将单片生产成本从进口方案的643元大幅降低至325元，综合成本降幅达到50%。具体而言，国产电镀药液可节省50%的材料成本，国产设备采购成本降低50%，同时在售后服务和关税等方面再节省50%的支出。
这一突破性进展不仅显著提升了我国HBM制造工艺的经济可行性，更重要的是为构建自主可控的AI芯片产业链提供了坚实的技术支撑。在当前全球半导体产业格局深刻变革的背景下，芯栋微的创新实践为我国在高端半导体装备与材料领域实现进口替代开辟了可行路径，对保障产业链安全具有重要战略意义。随着AI算力需求的持续爆发，这项国产化解决方案将为我国在全球HBM产业竞争中赢得更大的发展空间和话语权。
电镀液及添加剂22年销售额超1亿元，23、24连续两年同比增长超50%，其中24年先进封装电镀材料同比增长更快同比增长达116%，且持续供货台积电去年外销产品同比增长111%。
在半导体清洗液领域，上海新阳也取得了重要突破。28nm 干法蚀刻后清洗液产品已规模化量产，14nm 技术节点干法蚀刻后清洗液也已量产并实现销售，实现了 14nm 及以上技术节点的全覆盖 ，为存储芯片制造过程中的清洗环节提供了可靠的解决方案，确保了芯片制造的洁净度和质量。晶圆级清洗液金属杂质含量＜0.01ppb，达到SEMI G5标准：金属杂质<0.01 ppb（十亿分之一），顶尖级纯度，用于光刻胶、高纯蚀刻液等严苛场景。晶圆制造用铜／铝制程清洗系列产品去年销售额快速增加，同比增长47%，持续巩固了公司品圆清洗系列产品市场地位。
公司开发的晶圆制造用化学机械研磨液主要包括适用于浅槽隔离研磨液（STI Slurry）、金属钨研磨液（W Slurry）、金属铜研磨液（Cu Slurry）, 硅氧化层研磨液（Oxide Slurry），多晶硅层研磨液（Poly Slurry）等系列产品，可覆盖 14nm 及以上技术节点。
公司主要开发包括 I 线、KrF、ArF在内的各类晶圆制造用光刻胶，已实现 KrF 光刻胶多款产品批量化销售，2024年光刻胶产品整体销售规模持续增加，同比增长超100%，ArF 浸没式光刻胶已取得销售订单。
上海新阳什么产品能深度绑定客户新增新业务拓展及新增客户拓展成为亮点。