
应用材料 2025 财年实现连续第六年增长,创下多项纪录:营收达 284 亿美元(同比 + 4%),非 GAAP 每股收益 9.42 美元(同比 + 9%),非 GAAP 毛利率 48.8%(同比提升 120 个基点),核心业务半导体系统与应用全球服务均实现稳健增长。
本次发布会亮点突出:AI 驱动半导体行业进入 10-15% 五年复合增长周期,公司在领先制程晶圆代工逻辑、DRAM、先进封装等 AI 核心相关领域占据领导地位;新技术产品密集落地,高协同创新模式持续深化;服务业务订阅化率超三分之二,现金流与股东回报表现强劲。
但隐忧同样不容忽视:贸易限制导致中国市场营收占比持续下滑,2025 财年中国区系统与服务营收占比降至中期平均水平,远超 2024 年 10% 的市场受限规模;200mm 设备业务下滑、部分细分市场竞争加剧,短期营收增长节奏受市场结构调整拖累。
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召开时间:2025 年 11 月 13 日
核心发言人:CEO Gary Dickerson、CFO Bryce Hill、投资者关系副总裁 Mike Sullivan
会议性质:2025 财年第四季度及全年业绩发布与问答交流
本次会议包含前瞻性陈述,涉及业务增长、市场趋势、技术转型、财务表现等,受多重风险影响可能与实际结果存在差异。
关键风险因素:全球经济与行业环境变化、贸易限制与关税政策调整、技术创新与产品交付能力、供应链稳定性、地缘政治冲突、 cybersecurity 事件等。
非 GAAP 财务指标与 GAAP 指标的调节表可在公司投资者关系网站查询。
连续第六年实现增长,营收年化复合增长率约 12%, earnings 年化复合增长率约 20%。
各业务板块全面增长,但贸易限制与不利市场结构拖累全年增速。
半导体系统集团(Semiconductor Systems Group)
营收 208 亿美元,同比增长 4%。
全球晶圆代工系统营收创纪录,中国以外地区 DRAM 销售额创纪录,中国台湾与韩国市场营收创新高。
受贸易限制影响,中国区可触及市场规模缩小,2025 财年中国区系统与服务营收占比回落至中期平均水平,2025 财年第四季度占比 25%。
应用全球服务(Applied Global Services, AGS)
营收 64 亿美元,同比增长 3%,连续实现双位数增长。
订阅类收入占核心 AGS 业务营收超三分之二, recurring parts、服务与软件业务实现双位数增长。
其他业务
200mm 设备业务营收下滑,显示业务(Display)营收同比增长 20%,2025 财年第四季度起显示业务归类至 “公司及其他” 板块。

2025 财年运营现金流近 80 亿美元,自由现金流 56.98 亿美元,资本支出 23 亿美元(超半数用于硅谷 Epic Center 建设)。
股东回报:全年向股东分配 62.79 亿美元,其中股票回购 48.95 亿美元,现金分红 13.84 亿美元;季度股息每股提升 15% 至 46 美分,AGS 运营收入完全覆盖股息支付。
营收 68 亿美元,同比下降 3%;毛利率 48.1%,同比提升 60 个基点。
运营收入 19.47 亿美元,同比下降 6%;运营利润率 28.6%,同比下降 70 个基点。
每股收益 2.17 美元,同比下降 6%。
显示业务第四季度营收同比增长 68%,超预期;半导体系统与 AGS 营收超季度预期,但运营利润率同比下滑。
AI 进入拐点,驱动下一代计算基础设施与先进硅芯片投资,形成 “创新 - 需求” 良性循环。
第三方预测:未来五年半导体行业复合年增长率为 10-15%,带动晶圆厂设备(WFE)支出健康增长。
2026 年 WFE 市场增长核心驱动力:领先制程晶圆代工逻辑、DRAM、高带宽内存(HBM),这三大领域均为应用材料优势板块。
中国市场:2025 年中国 WFE 支出占全球近 40%,但受贸易限制影响,应用材料在中国 DRAM 与部分 ICAPS 市场的业务受限,受限规模超中国 WFE 市场的 20%;预计 2026 年中国 WFE 支出将下降,市场限制无显著变化,公司中国区业务维持正常化水平。
海外市场:中国以外地区为全球增长最快的市场板块,公司在该区域竞争优势显著,市场份额保持稳定。
领先制程晶圆代工逻辑:先进光刻相关投资增加,为制程设备需求提供积极信号,2026 年将成为增长最快的细分领域之一。
NAND:2025 年市场规模约翻倍,但仍占 WFE 市场较小份额,公司在该领域市场份额较低。
DRAM:2025 年日历年度支出基本持平,但公司在领先制程 DRAM 客户中的营收增长超 50%,领导地位持续强化。
先进封装:异构集成需求提升,混合键合(Hybrid bonding)等技术成为关键,市场增长潜力显著。
提前识别半导体技术拐点,聚焦客户技术路线图中的关键挑战,通过深度协同创新(Co-innovation)模式,整合全 portfolio 技术能力,打造差异化解决方案。
核心技术方向:材料工程(Materials Engineering)赋能高能效计算,覆盖领先制程逻辑、高性能 DRAM、先进封装、电力电子等关键领域。
领先制程逻辑相关
Exterra 外延系统:支持 2nm 及以上制程的全环绕栅极晶体管(Gate-all-around transistors),打造无空隙源漏结构,提升晶体管速度,适配 AI 计算需求。
Atera 系统:集成外延、清洗与蚀刻功能,均匀性显著提升,气体使用率较传统外延设备降低 50%。
先进封装相关
Kex 晶圆键合机:行业首款集成式芯片晶圆键合设备,支持混合键合技术,提升封装性能、降低功耗与成本,实现更高精度键合、更小互连间距与更高良率。
计量与检测相关
ProVision Ed 系统:针对 3D 器件的电子束(EB)计量设备,采用冷场发射技术,图像分辨率提升 3 倍,成像速度提升 10 倍,可穿透多层 3D 芯片识别掩埋结构缺陷。
其他关键技术
背侧供电(Backside power delivery)、4F² 架构、3D DRAM 堆叠、高带宽内存(HBM)、复合半导体(SiC、GaN)等,均为公司重点布局方向。
位于硅谷,预计 2026 年投入运营,将成为全球最先进的半导体设备与制程创新协作设施。
核心价值:践行高速度协同创新模式,为芯片制造商与设计商提供提前接触下一代制程技术的机会,加速新芯片与系统架构研发。
AGS 业务:提供先进服务解决方案,助力客户快速实现新技术量产转化,优化良率与成本;快速应用 AI 与数字化工具,提升运营效率与生产力。
显示业务从原板块移出,归类至 “公司及其他(Corporate and Other)”,业务战略无变化。
2026 财年第一季度起,200mm 设备业务从 AGS 转移至半导体系统集团,实现半导体系统营收统一披露,AGS 将完全由经常性收入构成。
2026 财年第一季度起,公司支持成本将全面分配至各业务板块,可能导致半导体系统与 AGS 运营利润率下降,但有助于成本优化。
2025 财年末宣布裁员计划,通过组织精简与人员结构优化,提升公司规模化运营效率。
资源向战略领域倾斜,增加先进分析等关键领域人才配置,支撑 R&D 效率提升。
指标预期范围总营收68.5 亿美元 ±5 亿美元半导体系统营收约 50.25 亿美元(含 200mm 设备)AGS 营收约 15.2 亿美元(不含 200mm 设备)公司及其他营收约 3.05 亿美元(主要为显示业务)毛利率约 48.4%运营费用约 13.3 亿美元税率约 13%每股收益(EPS)2.18 美元 ±0.20 美元
核心预期:2026 年为增长年,营收重心偏向日历年度下半年;预计 WFE 支出从 2026 年下半年起加速增长,公司运营与服务团队已做好产能准备。
问:自英伟达 8 月 26 日披露 3-4 万亿美元 AI 基础设施支出以来,市场环境发生显著变化。请问 Gary 近期与客户交流的内容有何演变?可见性如何?公司如何为潜在的大幅增长准备供应链?另外, Bryce 能否说明裁员计划对毛利率和运营费用的影响,以及 2026 年上半年与下半年的差异?
答(Gary):近期与亚洲主要客户的研发负责人及 CEO 深入交流,AI 是所有客户的核心焦点,驱动 WFE 需求向领先制程晶圆代工逻辑、DRAM 等公司优势板块集中。公司与客户保持深度协同创新关系,在全环绕栅极、背侧供电等技术领域的市场份额领先,对未来 4 个技术节点的需求可见性高达十年。近几个月客户需求可见性显著提升,部分客户提供 1-2 年的需求预测,公司正同步优化供应链以支撑 2026 年下半年的产能 ramp。
答(Bryce):裁员计划是为期一年的效率提升项目,2026 财年第一季度将不会出现常规的年度加薪与股权激励相关费用增长,可通过季度数据量化影响。2026 年剩余时间,公司将补充关键技能人才。此次调整是对整体人员结构的全面评估,核心目标是提升运营速度与生产力。
补充(Gary):公司正通过 AI 与数字化技术革新工作方式,在组织精简的同时,确保有能力承接 2026 年下半年起的客户大规模产能需求。
问:Gary,公司在全环绕栅极、背侧供电等新技术领域的市场份额持续提升,但 PVD(物理气相沉积)业务面临 ALD(原子层沉积)的替代压力,且面临中美日竞争对手的竞争。请问未来 2-3 年,公司领先产品的增长势头如何? Bryce 能否说明 200mm 设备业务转移对 2025 财年及 2026 财年第一季度的量化影响?
答(Gary):公司在领先制程晶圆代工逻辑、DRAM、先进封装(尤其是 HBM)等 AI 核心领域均处于全球第一地位,这些板块将成为 2026 年及未来几年增长最快的领域。贸易限制是当前竞争格局的最大变量,2024 年公司在中国 10% 的 WFE 市场受限,2025 年受限比例翻倍至超 20%,但在可参与竞争的领域,公司市场份额保持稳定。未来将通过新一代 ICAPS 产品拓展中国及全球市场的可触及范围,PVD 业务 2025 年实现增长,2026 年前景乐观,其在低电阻布线领域的技术优势对 AI 芯片至关重要,且公司正通过创新产品强化竞争力。此外,选择性 ALD 与 PVD 的集成解决方案已获得领先客户的重大订单。
答(Bryce):200mm 设备业务转移对 2026 财年第一季度的影响约为 1.25 亿美元,2025 财年第四季度的对应规模相近。此次调整将提升运营效率,便于投资者清晰跟踪半导体系统与服务业务的业绩表现。
问:公司预计 2026 财年业务结构将利好业绩增长,且下半年增长显著。请问 2026 年 WFE 市场是否有望实现高个位数至接近双位数增长?公司能否跑赢行业?另外,6 亿美元的业务拖累中,2026 财年第一季度占比多少?Gary 如何看待 “每 1000 亿美元数据中心建设对应约 XX 亿美元 WFE 支出” 的行业观点?该结构对公司有何利好?
答(Bryce):2026 年 WFE 市场将实现稳健增长,核心驱动力为领先制程逻辑与 DRAM,但中国市场 ICAPS 业务的调整可能形成一定拖累。6 亿美元的业务拖累中,2025 财年第四季度受相关政策影响未交付的 1 亿美元将计入 2026 财年第一季度指引,剩余部分将分布于 2026 年全年,交付时间仍在确认中。行业层面,约 15% 的领先制程晶圆代工与 DRAM 晶圆产能用于 AI 数据中心解决方案,该领域产能规划的复合增长率达 30% 左右,可据此预判相关 WFE 支出规模。
答(Gary):2026 年及未来,领先制程晶圆代工逻辑与 DRAM(含 HBM)是增长最快的两大板块,公司在这两个领域均处于全球第一地位,且市场份额持续提升。在全环绕栅极、背侧供电等技术领域,公司有望占据超 50% 的目标市场份额,HBM 未来将采用混合键合技术,公司在该领域的领先优势将进一步巩固。
问:Bryce,公司预计 2026 年下半年需求显著增长,请问上半年营收走势如何?是维持当前水平还是小幅增长?能否量化上半年与下半年的营收占比?另外,毛利率在营收增长后是否会出现实质性提升?
答(Bryce):半导体系统业务上半年营收将基本持平,AGS 业务预计实现低双位数的持续增长。2026 年下半年(对应公司 2026 财年第三、四季度),领先制程业务的产能 ramp 将推动营收显著增长。当前毛利率水平(2026 财年第一季度预计 48.4%)适配现有业务规模,全年公司整体运营利润率预计约 29%。下半年营收增长将带来规模效应,叠加持续的定价优化与成本控制措施,毛利率有望逐步提升。2025 年毛利率提升 120 个基点,主要得益于定价策略优化。
补充(Gary):AI 生态系统的高盈利性为产业链带来显著红利,公司通过技术创新赋能客户实现关键突破,未来有望持续推动毛利率稳步提升。
问:Bryce,中国相关实体清单政策调整后,被暂停的业务是否会带来超 6 亿美元的反弹?公司是否会为中国客户调整其他客户的产能分配?Gary,PVD 业务占公司系统营收的三分之一,是否面临 ALD 的替代压力?市场对该风险的担忧是否过度?
答(Bryce):2026 财年第一季度的反弹规模已纳入指引,剩余部分因涉及供应链生产周期与客户交付时间确认,将分布于全年,不会集中反弹。公司将根据客户需求与产能规划合理分配资源,不会过度倾斜。
答(Gary):市场对 ALD 替代 PVD 的担忧过度。PVD 在先进芯片的低电阻布线领域具有不可替代的技术优势,AI 服务器对芯片内、芯片间数据传输的高速低功耗需求,进一步凸显了 PVD 技术的重要性。公司通过 PVD 与选择性 ALD、选择性钼沉积等技术的集成,实现了 50% 的电阻率提升,该业务年营收达 10 亿美元级别,且对未来 4 个技术节点的需求可见性极高。近期已获得领先晶圆代工厂的集成平台订单,进一步验证了技术竞争力。
问:公司预计 2026 年中国区硅产品业务占比维持在中期水平,若中国本土支出下降,为何占比不会低于该水平?另外,Gary,存储客户是否面临厂房产能限制,导致 2026 年下半年才出现增长反弹?
答(Bryce):2026 财年第一季度中国区业务占比受短期交付结构影响,全年来看,若中国市场出现预期中的调整,占比可能进一步下降,但领先制程与 DRAM 业务的强劲增长将抵消该影响。中国 WFE 支出过去几年维持高位,主要源于本土供应链自主化需求,未来预计逐步回归至 ICAPS 业务占全球三分之一的长期水平,但具体时间难以预判。
答(Gary):从行业宏观层面看,厂房空间容量不会限制 2026 年的产能 ramp,各客户的安装、调试与认证时间表是影响增长节奏的核心因素。
问:公司表示在可参与的中国市场中未丢失份额,但美国同行的中国区营收增长显著,而公司中国区营收同比下滑。请问其中的差异原因是什么?
答(Bryce):从整体数据看,公司中国区市场份额确实因受限范围扩大而下降(2024 年受限 10%,2025 年超 20%),但在可服务的客户与领域中,市场份额保持稳定。
答(Gary):不同公司的中国区业务结构存在差异,应用材料在 DRAM 领域的市场份额极高,2025 年中国 DRAM 业务受限对整体营收造成显著影响;而 NAND 业务在公司中国区业务中占比较低,同期跨国 NAND 企业的中国区业务表现强劲,进一步放大了差异。通过多渠道数据交叉验证,公司在可竞争领域的份额未出现流失。
问:Bryce,2025 财年先进封装业务的规模与增长情况如何?Gary,该业务未来目标是否有调整?另外,6 亿美元反弹业务中,AGS 服务业务占比多少?
答(Bryce):2025 年先进封装业务营收较 2024 年略有下降,主要因 2024 年末 HBM 出货量较高。2025 年该业务与 2024 年基本持平,未来将随 AI 数据中心需求增长实现显著扩张。
答(Gary):公司在 HBM 领域全球第一,先进封装业务规模已从 5 亿美元增长至 15 亿美元,目标未来几年内翻倍至 3 亿美元以上。当前客户对大尺寸封装的需求激增,以实现多 GPU、CPU 的高效连接,公司在 HBM 与混合键合等核心技术上的优势的将支撑业务目标达成。
补充(Bryce):6 亿美元反弹业务中包含部分 AGS 服务业务,但主要以设备为主,具体占比暂无明细数据。
问:公司 2025 财年领先制程 DRAM 客户的营收增长 50%,远超行业 WFE 支出增速,请问份额增长来自哪些领域?2026 年 DRAM 业务走势如何?另外,2025 财年晶圆代工逻辑营收同比增长较低,而美国同行实现双位数增长,如何看待这一差距?2026 年能否跑赢晶圆代工逻辑 WFE 市场?
答(Bryce):2024 年公司 DRAM 业务包含大量中国区订单,2025 年剔除中国区业务后,国际客户订单实现 50% 增长,整体 DRAM 业务与 2024 年持平。2026 年 DRAM 业务将实现健康增长,全球客户的投资意愿强劲。
答(Gary):份额增长主要来自 HBM、Finfet 技术应用、电容器缩放、蚀刻与图形化技术等领域。未来 DRAM 企业将逐步采用混合键合、Finfet、4F² 垂直沟道晶体管等技术,公司在这些领域的布局将进一步提升市场份额。晶圆代工逻辑业务包含领先制程与 ICAPS 两部分,公司 2025 年在中国台湾与韩国的领先制程业务营收创纪录,增长显著;不同公司的业务结构(领先制程与 ICAPS 占比)差异导致整体增速不同,2026 年公司领先制程业务的强劲增长将推动其跑赢行业。
问:在 2026 年的增长中,领先制程逻辑与 DRAM 哪个板块增速更快?哪个先启动复苏?另外,除了规模效应,公司还有哪些运营举措将推动毛利率进一步提升?
答(Bryce):预计领先制程逻辑将是增速最快的板块,DRAM 次之。复苏节奏主要取决于客户的晶圆厂 ramp 时间表,整体集中在 2026 年下半年。2025 年毛利率提升 120 个基点,核心驱动力是定价体系改革,未来将持续推进该举措;同时,成本削减措施将部分抵消关税与库存管理带来的压力,随着下半年营收规模扩大,毛利率有望实现稳步提升。
补充(Gary):两大板块均将实现强劲增长,具体营收贡献节奏需结合客户的工厂建设与量产进度,当前客户需求可见性已显著改善。
Exterra 外延系统:应用材料推出的针对 2nm 及以上制程的外延设备,专注于全环绕栅极晶体管的源漏结构制备,提升晶体管性能。
Atera 系统:集成外延、清洗与蚀刻功能的一体化设备,优化工艺均匀性并降低气体消耗。
Kex 晶圆键合机:行业首款集成式芯片晶圆键合设备,支持混合键合技术,适配先进封装需求。
ProVision Ed 系统:基于冷场发射技术的电子束计量设备,用于 3D 器件的多层缺陷检测。
晶圆厂设备(WFE, Wafer Fab Equipment):半导体制造过程中使用的各类生产、检测、封装设备的总称。
全环绕栅极晶体管(GAA, Gate-all-around transistors):新一代晶体管架构,相较于 Finfet,栅极完全包裹沟道,提升开关性能与能效。
背侧供电(Backside power delivery):先进制程中的供电技术,将电源布线从芯片正面转移至背面,减少信号干扰,提升供电效率。
混合键合(Hybrid bonding):先进封装中的键合技术,通过金属 - 金属键合与介质 - 介质键合的结合,实现更小的互连间距。
高带宽内存(HBM, High-Bandwidth Memory):基于 3D 堆叠技术的高速内存,主要用于 AI 芯片、GPU 等高性能计算领域。
物理气相沉积(PVD, Physical Vapor Deposition):半导体制造中的薄膜沉积技术,通过物理过程将材料沉积到晶圆表面。
原子层沉积(ALD, Atomic Layer Deposition):高精度薄膜沉积技术,适用于纳米级薄膜制备,与 PVD 形成互补。
协同创新(Co-innovation):企业与客户、合作伙伴共同开展研发创新,提前对接技术需求,加速产品落地。
ICAPS:集成电路封装与测试服务(Integrated Circuit Assembly and Test Services)的简称。
复合半导体(SiC/GaN):以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,具有高温、高压、高频特性,主要用于电力电子等领域。
非 GAAP 财务指标(Non-GAAP Financial Measures):未按照美国公认会计原则(GAAP)编制的财务指标,通常用于更清晰反映公司核心经营业绩(如剔除一次性损益、股权激励费用等)。
毛利率(Gross Margin):毛利润(营收 - 成本)占营收的比例,反映产品或业务的直接盈利效率。
运营利润率(Operating Margin):运营利润(毛利润 - 运营费用)占营收的比例,反映核心经营业务的盈利水平。
自由现金流(Free Cash Flow):运营现金流减去资本支出后的现金流量,是衡量公司财务健康度与股东回报能力的关键指标。
复合年增长率(CAGR, Compound Annual Growth Rate):某项指标在一定时期内的年均增长速度,用于衡量长期增长趋势。
经常性收入(Recurring Revenue):定期重复获得的收入,主要来自订阅服务、维护合同等,稳定性较高。