斯达半导（603290.SH）
一、行业与赛道分析（权重30%）
1. 行业空间与技术迭代
市场规模：全球IGBT市场CAGR 16%（2023-2028），核心驱动力：
新能源车（渗透率35%→65%）：单车IGBT价值量提升至$550（SiC替代前）；
光伏储能（CAGR 25%+）：国产替代加速（2025年自给率50%→70%）。
技术代际风险：
graph LR
A[IGBT] -->|2020-2025 主流| B[第7代微沟槽]
B -->|2025+ 挑战| C[SiC MOSFET]
斯达卡位：第7代IGBT量产（对标英飞凌），但SiC收入占比仅5%（2025Q3） vs 龙头30%+。
2. 竞争格局与护城河
维度 斯达半导 国际龙头英飞凌
全球份额 8%（中国33%）↑ 34%（高端市场垄断）
技术壁垒 专利287项（沟槽栅领先） SiC专利壁垒深厚
客户结构 比亚迪/阳光电源等绑定